K4A4G165WD-BCRC vs H5AN4G6NBJR-PBC Vergleich

Detaillierter Direktvergleich von K4A4G165WD-BCRC von Samsung Electronics und H5AN4G6NBJR-PBC von SK hynix. Vergleichen Sie die wichtigsten Spezifikationen, elektrischen Parameter, Gehäuse, Lebenszyklusstatus, Preise und Verfügbarkeit, um das beste Bauteil für Ihre Designanforderungen zu ermitteln.

Samsung Electronics
K4A4G165WD-BCRC K4A4G165WD-BCRC - 4Gb DDR4 SDRAM 2400MHz | Samsung

K4A4G165WD-BCRC - 4Gb DDR4 SDRAM 2400MHz | Samsung

K4A4G165WD-BCRC ✓ Aktiv

Spezifikationsvergleich

Parameter K4A4G165WD-BCRC H5AN4G6NBJR-PBC
Marke Samsung Electronics SK hynix
Kategorie Memory ICs Memory ICs
Lebenszyklusstatus Aktiv Aktiv
Lagerstatus In Stock In Stock
Stückpreis (USD) $5,10 $6,60
Speichertyp DDR4 SDRAM DDR4 SDRAM
Density 4 Gbit —
Speicherorganisation 256M x 16 256M x 16 (268435456 words x 16 bits)
Speed Bin DDR4-2400 (BCRC) —
Versorgungsspannung 1.2 V —
Gehäuse FBGA-96 FBGA-96 (PBGA96), rectangular
Montageart Surface Mount Surface Mount
Process Generation Samsung D-die —
Schnittstellentyp DDR4 (double data rate, parallel) —
On-Die Termination (ODT) Yes —
Data Mask Function Yes —
Auto Precharge Yes —
CRC Function Yes —
ZQ Calibration Yes —
Betriebstemperatur [DATA_NEEDED: operating temperature range] [DATA_NEEDED: temperature range for -C grade]
RoHS-Status Lead free / RoHS Compliant —
Package Dimensions [DATA_NEEDED: package dimensions] —
Memory Density — 4 Gbit
Supply Voltage (VDD) — 1.2 V
Schnittstelle — DDR4 (double data rate, synchronous)
Package Code — TFBGA
Number of Terminals — 96
Eigenschaften — Auto self-refresh, data mask, asynchronous reset, dynamic ODT, ZQ calibration, write leveling, CRC
Data Rate / Speed Grade — [DATA_NEEDED: speed grade PBC data rate]
CAS-Latenz — [DATA_NEEDED: CAS latency for PBC speed grade]
Process — CMOS
Lead-Free / Halogen-Free — Yes (per family datasheet, Lead-Free & Halogen-Free)
Temperature Grade — OTHER (per distributor listing)

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