K4A4G165WD-BCRC vs H5AN4G6NBJR-PBC 比較
詳細な並列比較: K4A4G165WD-BCRC メーカー: Samsung Electronics および H5AN4G6NBJR-PBC メーカー: SK hynix。主要仕様、電気的特性、パッケージ、ライフサイクルステータス、価格、在庫状況を比較して、設計要件に最適な部品を判断してください。
仕様比較
| パラメータ | K4A4G165WD-BCRC | H5AN4G6NBJR-PBC |
|---|---|---|
| ブランド | Samsung Electronics | SK hynix |
| カテゴリ | Memory ICs | Memory ICs |
| ライフサイクル状態 | 有効 | 有効 |
| 在庫状況 | In Stock | In Stock |
| 単価（USD） | $5.10 | $6.60 |
| メモリタイプ | DDR4 SDRAM | DDR4 SDRAM |
| Density | 4 Gbit | — |
| メモリ構成 | 256M x 16 | 256M x 16 (268435456 words x 16 bits) |
| Speed Bin | DDR4-2400 (BCRC) | — |
| 電源電圧 | 1.2 V | — |
| パッケージ | FBGA-96 | FBGA-96 (PBGA96), rectangular |
| 実装タイプ | Surface Mount | Surface Mount |
| Process Generation | Samsung D-die | — |
| インターフェースタイプ | DDR4 (double data rate, parallel) | — |
| On-Die Termination (ODT) | Yes | — |
| Data Mask Function | Yes | — |
| Auto Precharge | Yes | — |
| CRC Function | Yes | — |
| ZQ Calibration | Yes | — |
| 動作温度 | [DATA_NEEDED: operating temperature range] | [DATA_NEEDED: temperature range for -C grade] |
| RoHS ステータス | Lead free / RoHS Compliant | — |
| Package Dimensions | [DATA_NEEDED: package dimensions] | — |
| Memory Density | — | 4 Gbit |
| Supply Voltage (VDD) | — | 1.2 V |
| インターフェース | — | DDR4 (double data rate, synchronous) |
| Package Code | — | TFBGA |
| Number of Terminals | — | 96 |
| 特長 | — | Auto self-refresh, data mask, asynchronous reset, dynamic ODT, ZQ calibration, write leveling, CRC |
| Data Rate / Speed Grade | — | [DATA_NEEDED: speed grade PBC data rate] |
| CASレイテンシ | — | [DATA_NEEDED: CAS latency for PBC speed grade] |
| Process | — | CMOS |
| Lead-Free / Halogen-Free | — | Yes (per family datasheet, Lead-Free & Halogen-Free) |
| Temperature Grade | — | OTHER (per distributor listing) |