K4A8G045WB-BCPB vs K4A8G045WB Vergleich
Detaillierter Direktvergleich von K4A8G045WB-BCPB von Samsung Electronics und K4A8G045WB von Samsung Electronics. Vergleichen Sie die wichtigsten Spezifikationen, elektrischen Parameter, Gehäuse, Lebenszyklusstatus, Preise und Verfügbarkeit, um das beste Bauteil für Ihre Designanforderungen zu ermitteln.
Samsung Electronics
K4A8G045WB-BCPB - 8Gb DDR4 SDRAM 2Gx4 2133Mbps | Samsung
K4A8G045WB-BCPB ✓ Aktiv
Spezifikationsvergleich
| Parameter | K4A8G045WB-BCPB | K4A8G045WB |
|---|---|---|
| Marke | Samsung Electronics | Samsung Electronics |
| Kategorie | Memory ICs | Memory ICs |
| Lebenszyklusstatus | Aktiv | Aktiv |
| Lagerstatus | In Stock | In Stock |
| Stückpreis (USD) | $9,02 | $9,27 |
| Speichertyp | DDR4 SDRAM (B-die) | DDR4 SDRAM (B-die) |
| Density | 8 Gb | 8 Gb |
| Speicherorganisation | 2G x 4 | 2G x 4 |
| Datenrate | 2133 Mbps/pin (PC4-2133) | 2133 Mbps |
| Supply Voltage (VDD) | 1.2 V | — |
| Gehäuse | 78-ball FBGA | 78-ball FBGA |
| Montageart | Surface Mount | Surface Mount |
| Prefetch Architecture | 8n | — |
| Burst Length | BL8, BC4 (burst chop) | — |
| Refresh Cycles | 8192 | 8192 |
| Refresh Modes | Auto-refresh, Self-refresh | — |
| Termination | On-Die Termination (ODT) | — |
| Reset | Asynchronous Reset | — |
| Clocking | Differential clocks (CK/CK#) | Differential clock (CK / CK#) |
| Betriebstemperatur | 0C to +85C | 0 C to +85 C |
| Max Supply Current | 211.7 mA | 211.7 mA |
| Eigenschaften | Posted CAS, Programmable CWL, Internal (Self) Calibration | — |
| RoHS-Status | [DATA_NEEDED: RoHS status] | [DATA_NEEDED: RoHS status] |
| Versorgungsspannung | — | 1.2 V |
| Number of Terminals | — | 78 |
| On-Die Termination | — | Yes (ODT pin) |
| Asynchronous Reset | — | Yes |
| Posted CAS | — | Yes |
| Programmable CWL | — | Yes |
| Internal (Self) Calibration | — | Yes |