K4A8G045WB-BCPB vs K4A8G045WB Comparación

Comparación detallada lado a lado de K4A8G045WB-BCPB por Samsung Electronics y K4A8G045WB por Samsung Electronics. Compare las especificaciones clave, los parámetros eléctricos, el encapsulado, el estado del ciclo de vida, los precios y la disponibilidad para determinar el mejor componente para los requisitos de su diseño.

Samsung Electronics
K4A8G045WB-BCPB K4A8G045WB-BCPB - 8Gb DDR4 SDRAM 2Gx4 2133Mbps | Samsung

K4A8G045WB-BCPB - 8Gb DDR4 SDRAM 2Gx4 2133Mbps | Samsung

K4A8G045WB-BCPB ✓ Activo
Samsung Electronics
K4A8G045WB K4A8G045WB - 8Gb DDR4 SDRAM 2Gx4 2133Mbps 1.2V | Samsung

K4A8G045WB - 8Gb DDR4 SDRAM 2Gx4 2133Mbps 1.2V | Samsung

K4A8G045WB ✓ Activo

Comparación de especificaciones

Parámetro K4A8G045WB-BCPB K4A8G045WB
Marca Samsung Electronics Samsung Electronics
Categoría Memory ICs Memory ICs
Estado del ciclo de vida Activo Activo
Estado del stock In Stock In Stock
Precio unitario (USD) $9,02 $9,27
Tipo de memoria DDR4 SDRAM (B-die) DDR4 SDRAM (B-die)
Density 8 Gb 8 Gb
Organización de memoria 2G x 4 2G x 4
Velocidad de datos 2133 Mbps/pin (PC4-2133) 2133 Mbps
Supply Voltage (VDD) 1.2 V —
Encapsulado 78-ball FBGA 78-ball FBGA
Tipo de montaje Surface Mount Surface Mount
Prefetch Architecture 8n —
Burst Length BL8, BC4 (burst chop) —
Refresh Cycles 8192 8192
Refresh Modes Auto-refresh, Self-refresh —
Termination On-Die Termination (ODT) —
Reset Asynchronous Reset —
Clocking Differential clocks (CK/CK#) Differential clock (CK / CK#)
Temperatura de funcionamiento 0C to +85C 0 C to +85 C
Max Supply Current 211.7 mA 211.7 mA
Características Posted CAS, Programmable CWL, Internal (Self) Calibration —
Estado RoHS [DATA_NEEDED: RoHS status] [DATA_NEEDED: RoHS status]
Tensión de alimentación — 1.2 V
Number of Terminals — 78
On-Die Termination — Yes (ODT pin)
Asynchronous Reset — Yes
Posted CAS — Yes
Programmable CWL — Yes
Internal (Self) Calibration — Yes

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