K4A8G045WB-BCPB vs K4A8G045WB Comparaison

Comparaison détaillée côte à côte de K4A8G045WB-BCPB par Samsung Electronics et K4A8G045WB par Samsung Electronics. Comparez les spécifications clés, les paramètres électriques, le conditionnement, le statut de cycle de vie, les prix et la disponibilité pour déterminer le meilleur composant pour vos exigences de conception.

Samsung Electronics
K4A8G045WB-BCPB K4A8G045WB-BCPB - 8Gb DDR4 SDRAM 2Gx4 2133Mbps | Samsung

K4A8G045WB-BCPB - 8Gb DDR4 SDRAM 2Gx4 2133Mbps | Samsung

K4A8G045WB-BCPB ✓ Actif
Samsung Electronics
K4A8G045WB K4A8G045WB - 8Gb DDR4 SDRAM 2Gx4 2133Mbps 1.2V | Samsung

K4A8G045WB - 8Gb DDR4 SDRAM 2Gx4 2133Mbps 1.2V | Samsung

K4A8G045WB ✓ Actif

Comparaison des spécifications

Paramètre K4A8G045WB-BCPB K4A8G045WB
Marque Samsung Electronics Samsung Electronics
Catégorie Memory ICs Memory ICs
Statut du cycle de vie Actif Actif
Statut du stock In Stock In Stock
Prix unitaire (USD) $9,02 $9,27
Type de mémoire DDR4 SDRAM (B-die) DDR4 SDRAM (B-die)
Density 8 Gb 8 Gb
Organisation de la mémoire 2G x 4 2G x 4
Débit de données 2133 Mbps/pin (PC4-2133) 2133 Mbps
Supply Voltage (VDD) 1.2 V —
Boîtier 78-ball FBGA 78-ball FBGA
Type de montage Surface Mount Surface Mount
Prefetch Architecture 8n —
Burst Length BL8, BC4 (burst chop) —
Refresh Cycles 8192 8192
Refresh Modes Auto-refresh, Self-refresh —
Termination On-Die Termination (ODT) —
Reset Asynchronous Reset —
Clocking Differential clocks (CK/CK#) Differential clock (CK / CK#)
Température de fonctionnement 0C to +85C 0 C to +85 C
Max Supply Current 211.7 mA 211.7 mA
Caractéristiques Posted CAS, Programmable CWL, Internal (Self) Calibration —
Statut RoHS [DATA_NEEDED: RoHS status] [DATA_NEEDED: RoHS status]
Tension d'alimentation — 1.2 V
Number of Terminals — 78
On-Die Termination — Yes (ODT pin)
Asynchronous Reset — Yes
Posted CAS — Yes
Programmable CWL — Yes
Internal (Self) Calibration — Yes

Fiches techniques et ressources

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