K4A8G045WB-BCPB vs K4A8G045WB Сравнение

Подробное сравнение бок о бок K4A8G045WB-BCPB от Samsung Electronics и K4A8G045WB от Samsung Electronics. Сравните ключевые характеристики, электрические параметры, упаковку, статус жизненного цикла, цены и наличие, чтобы выбрать лучший компонент для ваших требований.

Samsung Electronics
K4A8G045WB-BCPB K4A8G045WB-BCPB - 8Gb DDR4 SDRAM 2Gx4 2133Mbps | Samsung

K4A8G045WB-BCPB - 8Gb DDR4 SDRAM 2Gx4 2133Mbps | Samsung

K4A8G045WB-BCPB ✓ Активен
Samsung Electronics
K4A8G045WB K4A8G045WB - 8Gb DDR4 SDRAM 2Gx4 2133Mbps 1.2V | Samsung

K4A8G045WB - 8Gb DDR4 SDRAM 2Gx4 2133Mbps 1.2V | Samsung

K4A8G045WB ✓ Активен

Сравнение характеристик

Параметр K4A8G045WB-BCPB K4A8G045WB
Бренд Samsung Electronics Samsung Electronics
Категория Memory ICs Memory ICs
Статус жизненного цикла Активен Активен
Наличие In Stock In Stock
Цена за единицу (USD) $9,02 $9,27
Тип памяти DDR4 SDRAM (B-die) DDR4 SDRAM (B-die)
Density 8 Gb 8 Gb
Организация памяти 2G x 4 2G x 4
Скорость передачи данных 2133 Mbps/pin (PC4-2133) 2133 Mbps
Supply Voltage (VDD) 1.2 V —
Корпус 78-ball FBGA 78-ball FBGA
Тип монтажа Surface Mount Surface Mount
Prefetch Architecture 8n —
Burst Length BL8, BC4 (burst chop) —
Refresh Cycles 8192 8192
Refresh Modes Auto-refresh, Self-refresh —
Termination On-Die Termination (ODT) —
Reset Asynchronous Reset —
Clocking Differential clocks (CK/CK#) Differential clock (CK / CK#)
Рабочая температура 0C to +85C 0 C to +85 C
Max Supply Current 211.7 mA 211.7 mA
Особенности Posted CAS, Programmable CWL, Internal (Self) Calibration —
Статус RoHS [DATA_NEEDED: RoHS status] [DATA_NEEDED: RoHS status]
Напряжение питания — 1.2 V
Number of Terminals — 78
On-Die Termination — Yes (ODT pin)
Asynchronous Reset — Yes
Posted CAS — Yes
Programmable CWL — Yes
Internal (Self) Calibration — Yes

Даташиты & ресурсы

Все товары Создать BOM Запросить цену