K4A8G085WB-BCRC vs K4A8G085WB-BIWE Vergleich
Detaillierter Direktvergleich von K4A8G085WB-BCRC von Samsung Electronics und K4A8G085WB-BIWE von Samsung Electronics. Vergleichen Sie die wichtigsten Spezifikationen, elektrischen Parameter, Gehäuse, Lebenszyklusstatus, Preise und Verfügbarkeit, um das beste Bauteil für Ihre Designanforderungen zu ermitteln.
Samsung Electronics
K4A8G085WB-BCRC - 8Gb DDR4 SDRAM 1Gx8 2400Mbps | Samsung
K4A8G085WB-BCRC ✓ AktivSpezifikationsvergleich
| Parameter | K4A8G085WB-BCRC | K4A8G085WB-BIWE |
|---|---|---|
| Marke | Samsung Electronics | Samsung Electronics |
| Kategorie | Memory ICs | Memory ICs |
| Lebenszyklusstatus | Aktiv | Aktiv |
| Lagerstatus | In Stock | In Stock |
| Stückpreis (USD) | $6,80 | $6,50 |
| Speichertyp | DDR4 SDRAM | DDR4 SDRAM |
| Density | 8 Gb | — |
| Speicherorganisation | 1G x 8 | — |
| Datenrate | 2400 Mbps | 3200 Mbps |
| Versorgungsspannung | 1.2 V | 1.2 V |
| Betriebstemperatur | 0°C to 85°C | 0°C to +85°C |
| Gehäuse | 78-ball FBGA | 78-FBGA |
| Number of Terminals | 78 | — |
| Refresh Cycles | 8192 | — |
| Access Time | 0.175 ns | [DATA_NEEDED: tRCD, tRP, tRAS] |
| Technology | CMOS | — |
| Burst Length | 8 and 4 | — |
| On-Die Termination | Yes | — |
| Auto-Refresh | Yes | — |
| Self-Refresh | Yes | — |
| RoHS | Compliant | — |
| Speichergröße | — | 8 Gb |
| Memory Organization | — | 1G x 8 |
| Montageart | — | Surface Mount |
| Memory Interface | — | Parallel |
| CAS-Latenz | — | [DATA_NEEDED: CL value] |
| Refresh | — | Auto-refresh, self-refresh |
| RoHS-Status | — | Compliant |
| Lead-Free | — | Yes |
| Halogenfrei | — | Yes |