K4A8G085WB-BCRC vs K4A8G085WB-BIWE Comparación
Comparación detallada lado a lado de K4A8G085WB-BCRC por Samsung Electronics y K4A8G085WB-BIWE por Samsung Electronics. Compare las especificaciones clave, los parámetros eléctricos, el encapsulado, el estado del ciclo de vida, los precios y la disponibilidad para determinar el mejor componente para los requisitos de su diseño.
Samsung Electronics
K4A8G085WB-BCRC - 8Gb DDR4 SDRAM 1Gx8 2400Mbps | Samsung
K4A8G085WB-BCRC ✓ ActivoComparación de especificaciones
| Parámetro | K4A8G085WB-BCRC | K4A8G085WB-BIWE |
|---|---|---|
| Marca | Samsung Electronics | Samsung Electronics |
| Categoría | Memory ICs | Memory ICs |
| Estado del ciclo de vida | Activo | Activo |
| Estado del stock | In Stock | In Stock |
| Precio unitario (USD) | $6,80 | $6,50 |
| Tipo de memoria | DDR4 SDRAM | DDR4 SDRAM |
| Density | 8 Gb | — |
| Organización de memoria | 1G x 8 | — |
| Velocidad de datos | 2400 Mbps | 3200 Mbps |
| Tensión de alimentación | 1.2 V | 1.2 V |
| Temperatura de funcionamiento | 0°C to 85°C | 0°C to +85°C |
| Encapsulado | 78-ball FBGA | 78-FBGA |
| Number of Terminals | 78 | — |
| Refresh Cycles | 8192 | — |
| Access Time | 0.175 ns | [DATA_NEEDED: tRCD, tRP, tRAS] |
| Technology | CMOS | — |
| Burst Length | 8 and 4 | — |
| On-Die Termination | Yes | — |
| Auto-Refresh | Yes | — |
| Self-Refresh | Yes | — |
| RoHS | Compliant | — |
| Tamaño de memoria | — | 8 Gb |
| Memory Organization | — | 1G x 8 |
| Tipo de montaje | — | Surface Mount |
| Memory Interface | — | Parallel |
| Latencia CAS | — | [DATA_NEEDED: CL value] |
| Refresh | — | Auto-refresh, self-refresh |
| Estado RoHS | — | Compliant |
| Lead-Free | — | Yes |
| Sin halógenos | — | Yes |