K4A8G085WB-BICR vs K4A8G085WB-BITD Vergleich
Detaillierter Direktvergleich von K4A8G085WB-BICR von Samsung Electronics und K4A8G085WB-BITD von Samsung Electronics. Vergleichen Sie die wichtigsten Spezifikationen, elektrischen Parameter, Gehäuse, Lebenszyklusstatus, Preise und Verfügbarkeit, um das beste Bauteil für Ihre Designanforderungen zu ermitteln.
Samsung Electronics
K4A8G085WB-BICR - Samsung 8Gb DDR4 1Gx8 2400Mbps Industrial
K4A8G085WB-BICR ✓ Aktiv
Spezifikationsvergleich
| Parameter | K4A8G085WB-BICR | K4A8G085WB-BITD |
|---|---|---|
| Marke | Samsung Electronics | Samsung Electronics |
| Kategorie | Memory ICs | Memory ICs |
| Lebenszyklusstatus | Aktiv | Aktiv |
| Lagerstatus | In Stock | In Stock |
| Stückpreis (USD) | $4,25 | $3,80 |
| Speichertyp | DDR4 SDRAM | DDR4 SDRAM |
| Density | 8 Gb | 8 Gb |
| Speicherorganisation | 1G x 8 | 1G x 8 |
| Datenrate | 2400 Mbps | 2666 Mbps |
| Versorgungsspannung | 1.2 V (VDD/VDDQ) | 1.2 V |
| Number of Banks | 16 | — |
| Refresh Cycles | 8192 | — |
| Gehäuse | 78-ball FBGA | 78FBGA |
| Pin-Anzahl | 78 | — |
| Montageart | Surface Mount | Surface Mount |
| Temperature Grade | Industrial (I-grade) | — |
| Betriebstemperaturbereich | [DATA_NEEDED: exact temperature range for BICR industrial suffix] | — |
| Die / Process | Samsung 8Gb B-die DDR4 | — |
| Speed Grade | DDR4-2400 (PC4-19200) | — |
| RoHS-Status | Compliant | Compliant |
| Lead-Free | Yes | Yes |
| Refresh Management | Row refresh, auto-refresh and self-refresh supported | — |
| Betriebstemperatur | — | -40°C to +95°C |
| Anzahl der Pins | — | 78 |
| CAS-Latenz | — | [DATA_NEEDED: CAS Latency] |
| Row Cycle Time (tRC) | — | [DATA_NEEDED: tRC] |
| Refresh Cycle Time (tRFC) | — | [DATA_NEEDED: tRFC] |
| Schnittstelle | — | Parallel |