K4A8G085WB-BICR vs K4A8G085WB-BITD Сравнение
Подробное сравнение бок о бок K4A8G085WB-BICR от Samsung Electronics и K4A8G085WB-BITD от Samsung Electronics. Сравните ключевые характеристики, электрические параметры, упаковку, статус жизненного цикла, цены и наличие, чтобы выбрать лучший компонент для ваших требований.
Samsung Electronics
K4A8G085WB-BICR - Samsung 8Gb DDR4 1Gx8 2400Mbps Industrial
K4A8G085WB-BICR ✓ Активен
Сравнение характеристик
| Параметр | K4A8G085WB-BICR | K4A8G085WB-BITD |
|---|---|---|
| Бренд | Samsung Electronics | Samsung Electronics |
| Категория | Memory ICs | Memory ICs |
| Статус жизненного цикла | Активен | Активен |
| Наличие | In Stock | In Stock |
| Цена за единицу (USD) | $4,25 | $3,80 |
| Тип памяти | DDR4 SDRAM | DDR4 SDRAM |
| Density | 8 Gb | 8 Gb |
| Организация памяти | 1G x 8 | 1G x 8 |
| Скорость передачи данных | 2400 Mbps | 2666 Mbps |
| Напряжение питания | 1.2 V (VDD/VDDQ) | 1.2 V |
| Number of Banks | 16 | — |
| Refresh Cycles | 8192 | — |
| Корпус | 78-ball FBGA | 78FBGA |
| Число выводов | 78 | — |
| Тип монтажа | Surface Mount | Surface Mount |
| Temperature Grade | Industrial (I-grade) | — |
| Диапазон рабочих температур | [DATA_NEEDED: exact temperature range for BICR industrial suffix] | — |
| Die / Process | Samsung 8Gb B-die DDR4 | — |
| Speed Grade | DDR4-2400 (PC4-19200) | — |
| Статус RoHS | Compliant | Compliant |
| Lead-Free | Yes | Yes |
| Refresh Management | Row refresh, auto-refresh and self-refresh supported | — |
| Рабочая температура | — | -40°C to +95°C |
| Количество выводов | — | 78 |
| Задержка CAS | — | [DATA_NEEDED: CAS Latency] |
| Row Cycle Time (tRC) | — | [DATA_NEEDED: tRC] |
| Refresh Cycle Time (tRFC) | — | [DATA_NEEDED: tRFC] |
| Интерфейс | — | Parallel |