K4A8G085WB-BICR vs K4A8G085WB-BITD Comparação
Comparação detalhada lado a lado de K4A8G085WB-BICR por Samsung Electronics e K4A8G085WB-BITD por Samsung Electronics. Compare especificações principais, parâmetros elétricos, encapsulamento, status do ciclo de vida, preços e disponibilidade para determinar o melhor componente para os requisitos do seu projeto.
Samsung Electronics
K4A8G085WB-BICR - Samsung 8Gb DDR4 1Gx8 2400Mbps Industrial
K4A8G085WB-BICR ✓ Ativo
Comparação de especificações
| Parâmetro | K4A8G085WB-BICR | K4A8G085WB-BITD |
|---|---|---|
| Marca | Samsung Electronics | Samsung Electronics |
| Categoria | Memory ICs | Memory ICs |
| Status do ciclo de vida | Ativo | Ativo |
| Status do estoque | In Stock | In Stock |
| Preço unitário (USD) | $4,25 | $3,80 |
| Tipo de memória | DDR4 SDRAM | DDR4 SDRAM |
| Density | 8 Gb | 8 Gb |
| Organização da memória | 1G x 8 | 1G x 8 |
| Taxa de dados | 2400 Mbps | 2666 Mbps |
| Tensão de alimentação | 1.2 V (VDD/VDDQ) | 1.2 V |
| Number of Banks | 16 | — |
| Refresh Cycles | 8192 | — |
| Encapsulamento | 78-ball FBGA | 78FBGA |
| Contagem de pinos | 78 | — |
| Tipo de montagem | Surface Mount | Surface Mount |
| Temperature Grade | Industrial (I-grade) | — |
| Faixa de temperatura de operação | [DATA_NEEDED: exact temperature range for BICR industrial suffix] | — |
| Die / Process | Samsung 8Gb B-die DDR4 | — |
| Speed Grade | DDR4-2400 (PC4-19200) | — |
| Status RoHS | Compliant | Compliant |
| Lead-Free | Yes | Yes |
| Refresh Management | Row refresh, auto-refresh and self-refresh supported | — |
| Temperatura de operação | — | -40°C to +95°C |
| Número de pinos | — | 78 |
| Latência CAS | — | [DATA_NEEDED: CAS Latency] |
| Row Cycle Time (tRC) | — | [DATA_NEEDED: tRC] |
| Refresh Cycle Time (tRFC) | — | [DATA_NEEDED: tRFC] |
| Interface | — | Parallel |