K4A8G085WB-BICR vs MT40A1G8SA-062E Vergleich
Detaillierter Direktvergleich von K4A8G085WB-BICR von Samsung Electronics und MT40A1G8SA-062E von Micron Technology. Vergleichen Sie die wichtigsten Spezifikationen, elektrischen Parameter, Gehäuse, Lebenszyklusstatus, Preise und Verfügbarkeit, um das beste Bauteil für Ihre Designanforderungen zu ermitteln.
Samsung Electronics
K4A8G085WB-BICR - Samsung 8Gb DDR4 1Gx8 2400Mbps Industrial
K4A8G085WB-BICR ✓ AktivSpezifikationsvergleich
| Parameter | K4A8G085WB-BICR | MT40A1G8SA-062E |
|---|---|---|
| Marke | Samsung Electronics | Micron Technology |
| Kategorie | Memory ICs | Memory ICs |
| Lebenszyklusstatus | Aktiv | Aktiv |
| Lagerstatus | In Stock | In Stock |
| Stückpreis (USD) | $4,25 | $6,05 |
| Speichertyp | DDR4 SDRAM | DDR4 SDRAM |
| Density | 8 Gb | 8 Gbit |
| Speicherorganisation | 1G x 8 | 1G x 8 |
| Datenrate | 2400 Mbps | 3200 MT/s (DDR4-3200) |
| Versorgungsspannung | 1.2 V (VDD/VDDQ) | — |
| Number of Banks | 16 | — |
| Refresh Cycles | 8192 | — |
| Gehäuse | 78-ball FBGA | 78-ball FBGA (7.5 x 11 mm) |
| Pin-Anzahl | 78 | — |
| Montageart | Surface Mount | Surface Mount |
| Temperature Grade | Industrial (I-grade) | — |
| Betriebstemperaturbereich | [DATA_NEEDED: exact temperature range for BICR industrial suffix] | — |
| Die / Process | Samsung 8Gb B-die DDR4 | — |
| Speed Grade | DDR4-2400 (PC4-19200) | — |
| RoHS-Status | Compliant | — |
| Lead-Free | Yes | — |
| Refresh Management | Row refresh, auto-refresh and self-refresh supported | — |
| Clock Frequency | — | 1.6 GHz |
| Access Time (CAS Latency) | — | CL22 at 3200 MT/s |
| Row Access Time | — | 19 ns |
| VDD / VDDQ | — | 1.2 V +/-60 mV |
| VPP | — | 2.5 V, -125 mV, +250 mV |
| Internal Banks | — | 16 banks (4 bank groups x 4 banks) |
| Refresh | — | 8192-cycle; 64 ms (0-85C), 32 ms (85-95C), 16 ms (>95C) |
| Betriebstemperatur | — | 0C to +95C (CT range; IT: -40C to +95C) |
| I/O Type | — | 1.2 V pseudo open-drain |
| Burst Length | — | BL8, BC4 (burst chop) |
| Eigenschaften | — | Auto self-refresh, write leveling, dynamic ODT, CRC, auto precharge, ZQ calibration, on-die adjustable VREFDQ |