K4A8G085WB-BICR vs MT40A1G8SA-062E Comparação

Comparação detalhada lado a lado de K4A8G085WB-BICR por Samsung Electronics e MT40A1G8SA-062E por Micron Technology. Compare especificações principais, parâmetros elétricos, encapsulamento, status do ciclo de vida, preços e disponibilidade para determinar o melhor componente para os requisitos do seu projeto.

Samsung Electronics
K4A8G085WB-BICR K4A8G085WB-BICR - Samsung 8Gb DDR4 1Gx8 2400Mbps Industrial

K4A8G085WB-BICR - Samsung 8Gb DDR4 1Gx8 2400Mbps Industrial

K4A8G085WB-BICR ✓ Ativo
Micron Technology
MT40A1G8SA-062E MT40A1G8SA-062E - 8Gb DDR4 SDRAM 3200MT/s | Micron

MT40A1G8SA-062E - 8Gb DDR4 SDRAM 3200MT/s | Micron

MT40A1G8SA-062E ✓ Ativo

Comparação de especificações

Parâmetro K4A8G085WB-BICR MT40A1G8SA-062E
Marca Samsung Electronics Micron Technology
Categoria Memory ICs Memory ICs
Status do ciclo de vida Ativo Ativo
Status do estoque In Stock In Stock
Preço unitário (USD) $4,25 $6,05
Tipo de memória DDR4 SDRAM DDR4 SDRAM
Density 8 Gb 8 Gbit
Organização da memória 1G x 8 1G x 8
Taxa de dados 2400 Mbps 3200 MT/s (DDR4-3200)
Tensão de alimentação 1.2 V (VDD/VDDQ) —
Number of Banks 16 —
Refresh Cycles 8192 —
Encapsulamento 78-ball FBGA 78-ball FBGA (7.5 x 11 mm)
Contagem de pinos 78 —
Tipo de montagem Surface Mount Surface Mount
Temperature Grade Industrial (I-grade) —
Faixa de temperatura de operação [DATA_NEEDED: exact temperature range for BICR industrial suffix] —
Die / Process Samsung 8Gb B-die DDR4 —
Speed Grade DDR4-2400 (PC4-19200) —
Status RoHS Compliant —
Lead-Free Yes —
Refresh Management Row refresh, auto-refresh and self-refresh supported —
Clock Frequency — 1.6 GHz
Access Time (CAS Latency) — CL22 at 3200 MT/s
Row Access Time — 19 ns
VDD / VDDQ — 1.2 V +/-60 mV
VPP — 2.5 V, -125 mV, +250 mV
Internal Banks — 16 banks (4 bank groups x 4 banks)
Refresh — 8192-cycle; 64 ms (0-85C), 32 ms (85-95C), 16 ms (>95C)
Temperatura de operação — 0C to +95C (CT range; IT: -40C to +95C)
I/O Type — 1.2 V pseudo open-drain
Burst Length — BL8, BC4 (burst chop)
Recursos — Auto self-refresh, write leveling, dynamic ODT, CRC, auto precharge, ZQ calibration, on-die adjustable VREFDQ

Fichas técnicas e recursos

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