K4A8G085WB-BICR vs MT40A1G8SA-062E Comparaison

Comparaison détaillée côte à côte de K4A8G085WB-BICR par Samsung Electronics et MT40A1G8SA-062E par Micron Technology. Comparez les spécifications clés, les paramètres électriques, le conditionnement, le statut de cycle de vie, les prix et la disponibilité pour déterminer le meilleur composant pour vos exigences de conception.

Samsung Electronics
K4A8G085WB-BICR K4A8G085WB-BICR - Samsung 8Gb DDR4 1Gx8 2400Mbps Industrial

K4A8G085WB-BICR - Samsung 8Gb DDR4 1Gx8 2400Mbps Industrial

K4A8G085WB-BICR ✓ Actif
Micron Technology
MT40A1G8SA-062E MT40A1G8SA-062E - 8Gb DDR4 SDRAM 3200MT/s | Micron

MT40A1G8SA-062E - 8Gb DDR4 SDRAM 3200MT/s | Micron

MT40A1G8SA-062E ✓ Actif

Comparaison des spécifications

Paramètre K4A8G085WB-BICR MT40A1G8SA-062E
Marque Samsung Electronics Micron Technology
Catégorie Memory ICs Memory ICs
Statut du cycle de vie Actif Actif
Statut du stock In Stock In Stock
Prix unitaire (USD) $4,25 $6,05
Type de mémoire DDR4 SDRAM DDR4 SDRAM
Density 8 Gb 8 Gbit
Organisation de la mémoire 1G x 8 1G x 8
Débit de données 2400 Mbps 3200 MT/s (DDR4-3200)
Tension d'alimentation 1.2 V (VDD/VDDQ) —
Number of Banks 16 —
Refresh Cycles 8192 —
Boîtier 78-ball FBGA 78-ball FBGA (7.5 x 11 mm)
Nombre de broches 78 —
Type de montage Surface Mount Surface Mount
Temperature Grade Industrial (I-grade) —
Plage de température de fonctionnement [DATA_NEEDED: exact temperature range for BICR industrial suffix] —
Die / Process Samsung 8Gb B-die DDR4 —
Speed Grade DDR4-2400 (PC4-19200) —
Statut RoHS Compliant —
Lead-Free Yes —
Refresh Management Row refresh, auto-refresh and self-refresh supported —
Clock Frequency — 1.6 GHz
Access Time (CAS Latency) — CL22 at 3200 MT/s
Row Access Time — 19 ns
VDD / VDDQ — 1.2 V +/-60 mV
VPP — 2.5 V, -125 mV, +250 mV
Internal Banks — 16 banks (4 bank groups x 4 banks)
Refresh — 8192-cycle; 64 ms (0-85C), 32 ms (85-95C), 16 ms (>95C)
Température de fonctionnement — 0C to +95C (CT range; IT: -40C to +95C)
I/O Type — 1.2 V pseudo open-drain
Burst Length — BL8, BC4 (burst chop)
Caractéristiques — Auto self-refresh, write leveling, dynamic ODT, CRC, auto precharge, ZQ calibration, on-die adjustable VREFDQ

Fiches techniques et ressources

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