K4A8G085WB-BIWE vs MT40A512M16TB-062E:R Vergleich
Detaillierter Direktvergleich von K4A8G085WB-BIWE von Samsung Electronics und MT40A512M16TB-062E:R von Micron Technology. Vergleichen Sie die wichtigsten Spezifikationen, elektrischen Parameter, Gehäuse, Lebenszyklusstatus, Preise und Verfügbarkeit, um das beste Bauteil für Ihre Designanforderungen zu ermitteln.
Micron Technology
MT40A512M16TB-062E:R - 8Gb DDR4 SDRAM 3200MT/s | Micron
MT40A512M16TB-062E:R ✓ AktivSpezifikationsvergleich
| Parameter | K4A8G085WB-BIWE | MT40A512M16TB-062E:R |
|---|---|---|
| Marke | Samsung Electronics | Micron Technology |
| Kategorie | Memory ICs | Memory ICs |
| Lebenszyklusstatus | Aktiv | Aktiv |
| Lagerstatus | In Stock | In Stock |
| Stückpreis (USD) | $6,50 | $60,00 |
| Speichertyp | DDR4 SDRAM | DDR4 SDRAM |
| Speichergröße | 8 Gb | 8 Gbit (512M x 16) |
| Memory Organization | 1G x 8 | — |
| Datenrate | 3200 Mbps | 3200 MT/s |
| Versorgungsspannung | 1.2 V | — |
| Betriebstemperatur | 0°C to +85°C | 0°C to +95°C |
| Gehäuse | 78-FBGA | 96-FBGA (7.5x13 mm) |
| Montageart | Surface Mount | — |
| Memory Interface | Parallel | — |
| Access Time | [DATA_NEEDED: tRCD, tRP, tRAS] | — |
| CAS-Latenz | [DATA_NEEDED: CL value] | 22 |
| Refresh | Auto-refresh, self-refresh | — |
| RoHS-Status | Compliant | Compliant |
| Lead-Free | Yes | — |
| Halogenfrei | Yes | — |
| Clock Frequency | — | 1600 MHz |
| Supply Voltage (VDD/VDDQ) | — | 1.2V ±60mV |
| VPP Voltage | — | 2.5V (-125mV, +250mV) |
| Schnittstelle | — | Parallel |
| Datenbusbreite | — | 16 bits |
| Refresh Time | — | 8192 cycles (64ms at -40°C to 85°C, 32ms at >85°C to 95°C, 16ms at >95°C) |
| I/O Type | — | 1.2V pseudo open-drain |
| Eigenschaften | — | Auto self-refresh, auto precharge, write leveling, CRC, dynamic on-chip termination, ZQ calibration |