K4A8G085WB-BIWE vs MT40A512M16TB-062E:R Comparaison
Comparaison détaillée côte à côte de K4A8G085WB-BIWE par Samsung Electronics et MT40A512M16TB-062E:R par Micron Technology. Comparez les spécifications clés, les paramètres électriques, le conditionnement, le statut de cycle de vie, les prix et la disponibilité pour déterminer le meilleur composant pour vos exigences de conception.
Micron Technology
MT40A512M16TB-062E:R - 8Gb DDR4 SDRAM 3200MT/s | Micron
MT40A512M16TB-062E:R ✓ ActifComparaison des spécifications
| Paramètre | K4A8G085WB-BIWE | MT40A512M16TB-062E:R |
|---|---|---|
| Marque | Samsung Electronics | Micron Technology |
| Catégorie | Memory ICs | Memory ICs |
| Statut du cycle de vie | Actif | Actif |
| Statut du stock | In Stock | In Stock |
| Prix unitaire (USD) | $6,50 | $60,00 |
| Type de mémoire | DDR4 SDRAM | DDR4 SDRAM |
| Taille de mémoire | 8 Gb | 8 Gbit (512M x 16) |
| Memory Organization | 1G x 8 | — |
| Débit de données | 3200 Mbps | 3200 MT/s |
| Tension d'alimentation | 1.2 V | — |
| Température de fonctionnement | 0°C to +85°C | 0°C to +95°C |
| Boîtier | 78-FBGA | 96-FBGA (7.5x13 mm) |
| Type de montage | Surface Mount | — |
| Memory Interface | Parallel | — |
| Access Time | [DATA_NEEDED: tRCD, tRP, tRAS] | — |
| Latence CAS | [DATA_NEEDED: CL value] | 22 |
| Refresh | Auto-refresh, self-refresh | — |
| Statut RoHS | Compliant | Compliant |
| Lead-Free | Yes | — |
| Sans halogène | Yes | — |
| Clock Frequency | — | 1600 MHz |
| Supply Voltage (VDD/VDDQ) | — | 1.2V ±60mV |
| VPP Voltage | — | 2.5V (-125mV, +250mV) |
| Interface | — | Parallel |
| Largeur du bus de données | — | 16 bits |
| Refresh Time | — | 8192 cycles (64ms at -40°C to 85°C, 32ms at >85°C to 95°C, 16ms at >95°C) |
| I/O Type | — | 1.2V pseudo open-drain |
| Caractéristiques | — | Auto self-refresh, auto precharge, write leveling, CRC, dynamic on-chip termination, ZQ calibration |