K4A8G085WB-BIWE vs MT40A512M16TB-062E:R Comparación
Comparación detallada lado a lado de K4A8G085WB-BIWE por Samsung Electronics y MT40A512M16TB-062E:R por Micron Technology. Compare las especificaciones clave, los parámetros eléctricos, el encapsulado, el estado del ciclo de vida, los precios y la disponibilidad para determinar el mejor componente para los requisitos de su diseño.
Micron Technology
MT40A512M16TB-062E:R - 8Gb DDR4 SDRAM 3200MT/s | Micron
MT40A512M16TB-062E:R ✓ ActivoComparación de especificaciones
| Parámetro | K4A8G085WB-BIWE | MT40A512M16TB-062E:R |
|---|---|---|
| Marca | Samsung Electronics | Micron Technology |
| Categoría | Memory ICs | Memory ICs |
| Estado del ciclo de vida | Activo | Activo |
| Estado del stock | In Stock | In Stock |
| Precio unitario (USD) | $6,50 | $60,00 |
| Tipo de memoria | DDR4 SDRAM | DDR4 SDRAM |
| Tamaño de memoria | 8 Gb | 8 Gbit (512M x 16) |
| Memory Organization | 1G x 8 | — |
| Velocidad de datos | 3200 Mbps | 3200 MT/s |
| Tensión de alimentación | 1.2 V | — |
| Temperatura de funcionamiento | 0°C to +85°C | 0°C to +95°C |
| Encapsulado | 78-FBGA | 96-FBGA (7.5x13 mm) |
| Tipo de montaje | Surface Mount | — |
| Memory Interface | Parallel | — |
| Access Time | [DATA_NEEDED: tRCD, tRP, tRAS] | — |
| Latencia CAS | [DATA_NEEDED: CL value] | 22 |
| Refresh | Auto-refresh, self-refresh | — |
| Estado RoHS | Compliant | Compliant |
| Lead-Free | Yes | — |
| Sin halógenos | Yes | — |
| Clock Frequency | — | 1600 MHz |
| Supply Voltage (VDD/VDDQ) | — | 1.2V ±60mV |
| VPP Voltage | — | 2.5V (-125mV, +250mV) |
| Interfaz | — | Parallel |
| Ancho del bus de datos | — | 16 bits |
| Refresh Time | — | 8192 cycles (64ms at -40°C to 85°C, 32ms at >85°C to 95°C, 16ms at >95°C) |
| I/O Type | — | 1.2V pseudo open-drain |
| Características | — | Auto self-refresh, auto precharge, write leveling, CRC, dynamic on-chip termination, ZQ calibration |