K4A8G085WC-BCRC vs K4A8G165WB-BCRC Vergleich
Detaillierter Direktvergleich von K4A8G085WC-BCRC von Samsung Electronics und K4A8G165WB-BCRC von Samsung Electronics. Vergleichen Sie die wichtigsten Spezifikationen, elektrischen Parameter, Gehäuse, Lebenszyklusstatus, Preise und Verfügbarkeit, um das beste Bauteil für Ihre Designanforderungen zu ermitteln.
Spezifikationsvergleich
| Parameter | K4A8G085WC-BCRC | K4A8G165WB-BCRC |
|---|---|---|
| Marke | Samsung Electronics | Samsung Electronics |
| Kategorie | DRAM | Memory ICs |
| Lebenszyklusstatus | Aktiv | Aktiv |
| Lagerstatus | In Stock | In Stock |
| Stückpreis (USD) | $4,30 | $12,57 |
| Speichertyp | DDR4 SDRAM | DDR4 SDRAM (DRAM, volatile) |
| Density | 8 Gbit | — |
| Speicherorganisation | 1G x 8 | — |
| Versorgungsspannung | 1.2 V | 1.2 V (1.14 V to 1.26 V) |
| Datenrate | 2400 Mbps (DDR4-2400) | 2400 Mbps (PC4-19200) |
| Gehäuse | 78-ball FBGA (TFBGA) | 96-ball FBGA (PBGA96) |
| Terminal Pitch | 0.8 mm | — |
| Montageart | Surface Mount | Surface Mount |
| Betriebstemperatur | 0C to +95C | -40C to +95C |
| Auto Precharge | Yes | Yes |
| Asynchronous Reset | Yes | Yes |
| CRC Function | Yes | — |
| ZQ Calibration | Yes | Yes |
| Dynamic On-Die Termination | Yes | — |
| Data Mask Function | Yes | — |
| RoHS-Status | Compliant | Compliant |
| Refresh | Auto/Self refresh | Auto-refresh and self-refresh |
| Speichergröße | — | 8 Gb (1 GB) |
| Memory Organization | — | 512M x 16 |
| Technology | — | CMOS DRAM, Samsung 8Gb B-die |
| Ball Pitch | — | 0.8 mm |
| Schnittstelle | — | DDR4 (Double Data Rate, synchronous) |
| On-Die Termination | — | Yes (ODT with dynamic ODT) |
| CRC / CA Parity | — | Yes (CRC function) |