K4A8G085WC-BCTD vs K4A8G085WB-BCTD Vergleich
Detaillierter Direktvergleich von K4A8G085WC-BCTD von Samsung Electronics und K4A8G085WB-BCTD von Samsung Electronics. Vergleichen Sie die wichtigsten Spezifikationen, elektrischen Parameter, Gehäuse, Lebenszyklusstatus, Preise und Verfügbarkeit, um das beste Bauteil für Ihre Designanforderungen zu ermitteln.
Samsung Electronics
K4A8G085WC-BCTD - 8Gb DDR4 SDRAM 2666Mbps 1.2V | Samsung
K4A8G085WC-BCTD ⚠ Letzte BestellmöglichkeitSamsung Electronics
K4A8G085WB-BCTD - 8Gb DDR4 SDRAM 1Gx8 | Samsung | FBGA-78
K4A8G085WB-BCTD ✓ AktivSpezifikationsvergleich
| Parameter | K4A8G085WC-BCTD | K4A8G085WB-BCTD |
|---|---|---|
| Marke | Samsung Electronics | Samsung Electronics |
| Kategorie | Memory ICs | Memory ICs |
| Lebenszyklusstatus | Letzte Kaufgelegenheit | Aktiv |
| Lagerstatus | In Stock | In Stock |
| Stückpreis (USD) | $50,85 | $7,50 |
| Speichertyp | DDR4 SDRAM | DDR4 SDRAM |
| Density | 8 Gb | — |
| Speicherorganisation | 1G x 8 | — |
| Datenrate | 2666 Mbps (PC4-2133) | 3200 Mbps (PC4-25600) |
| Supply Voltage (VDD/VDDQ) | 1.2 V (1.14 V to 1.26 V) | — |
| Gehäuse | 78-ball FBGA (78FBGA) | FBGA-78 (TFBGA) |
| Ball Pitch | 0.8 mm | — |
| Betriebstemperatur | 0C to +95C | 0°C to +95°C (TC) |
| Standard Operating Temp Range | 0C to +85C | — |
| Burst Length | 8 (chop 4) | 8 (BL8) |
| Auto Precharge | Yes | Yes |
| Asynchronous Reset | Yes | Yes |
| CRC Function | Yes | Yes |
| ZQ Calibration | Yes | Yes |
| Dynamic ODT | Yes | — |
| Data Mask | Yes | — |
| Schnittstellentyp | Synchronous, parallel | — |
| Montageart | Surface Mount | — |
| RoHS-Status | [DATA_NEEDED: RoHS status] | Compliant |
| Speichergröße | — | 8 Gb (1G x 8) |
| Versorgungsspannung | — | 1.2 V |
| Speed Bin | — | CL22-22-22 |
| On-Die Termination | — | Yes (ODT) |
| Dynamic On-Chip Termination | — | Yes |
| Data Mask Function | — | Yes |
| JESD-30 Code | — | R-PBGA-B78 |
| Number of Terminals | — | 78 |