K4A8G085WC-BCTD vs K4A8G085WB-BCTD Comparaison
Comparaison détaillée côte à côte de K4A8G085WC-BCTD par Samsung Electronics et K4A8G085WB-BCTD par Samsung Electronics. Comparez les spécifications clés, les paramètres électriques, le conditionnement, le statut de cycle de vie, les prix et la disponibilité pour déterminer le meilleur composant pour vos exigences de conception.
Samsung Electronics
K4A8G085WC-BCTD - 8Gb DDR4 SDRAM 2666Mbps 1.2V | Samsung
K4A8G085WC-BCTD ⚠ Dernier achatSamsung Electronics
K4A8G085WB-BCTD - 8Gb DDR4 SDRAM 1Gx8 | Samsung | FBGA-78
K4A8G085WB-BCTD ✓ ActifComparaison des spécifications
| Paramètre | K4A8G085WC-BCTD | K4A8G085WB-BCTD |
|---|---|---|
| Marque | Samsung Electronics | Samsung Electronics |
| Catégorie | Memory ICs | Memory ICs |
| Statut du cycle de vie | Dernier achat | Actif |
| Statut du stock | In Stock | In Stock |
| Prix unitaire (USD) | $50,85 | $7,50 |
| Type de mémoire | DDR4 SDRAM | DDR4 SDRAM |
| Density | 8 Gb | — |
| Organisation de la mémoire | 1G x 8 | — |
| Débit de données | 2666 Mbps (PC4-2133) | 3200 Mbps (PC4-25600) |
| Supply Voltage (VDD/VDDQ) | 1.2 V (1.14 V to 1.26 V) | — |
| Boîtier | 78-ball FBGA (78FBGA) | FBGA-78 (TFBGA) |
| Ball Pitch | 0.8 mm | — |
| Température de fonctionnement | 0C to +95C | 0°C to +95°C (TC) |
| Standard Operating Temp Range | 0C to +85C | — |
| Burst Length | 8 (chop 4) | 8 (BL8) |
| Auto Precharge | Yes | Yes |
| Asynchronous Reset | Yes | Yes |
| CRC Function | Yes | Yes |
| ZQ Calibration | Yes | Yes |
| Dynamic ODT | Yes | — |
| Data Mask | Yes | — |
| Type d'interface | Synchronous, parallel | — |
| Type de montage | Surface Mount | — |
| Statut RoHS | [DATA_NEEDED: RoHS status] | Compliant |
| Taille de mémoire | — | 8 Gb (1G x 8) |
| Tension d'alimentation | — | 1.2 V |
| Speed Bin | — | CL22-22-22 |
| On-Die Termination | — | Yes (ODT) |
| Dynamic On-Chip Termination | — | Yes |
| Data Mask Function | — | Yes |
| JESD-30 Code | — | R-PBGA-B78 |
| Number of Terminals | — | 78 |