K4A8G085WC-BCTD vs K4A8G085WB-BCTD 比較

詳細な並列比較: K4A8G085WC-BCTD メーカー: Samsung Electronics および K4A8G085WB-BCTD メーカー: Samsung Electronics。主要仕様、電気的特性、パッケージ、ライフサイクルステータス、価格、在庫状況を比較して、設計要件に最適な部品を判断してください。

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K4A8G085WC-BCTD K4A8G085WC-BCTD - 8Gb DDR4 SDRAM 2666Mbps 1.2V | Samsung

K4A8G085WC-BCTD - 8Gb DDR4 SDRAM 2666Mbps 1.2V | Samsung

K4A8G085WC-BCTD ⚠ ラストタイムバイ
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K4A8G085WB-BCTD K4A8G085WB-BCTD - 8Gb DDR4 SDRAM 1Gx8 | Samsung | FBGA-78

K4A8G085WB-BCTD - 8Gb DDR4 SDRAM 1Gx8 | Samsung | FBGA-78

K4A8G085WB-BCTD ✓ 生産中

仕様比較

パラメータ K4A8G085WC-BCTD K4A8G085WB-BCTD
ブランド Samsung Electronics Samsung Electronics
カテゴリ Memory ICs Memory ICs
ライフサイクル状態 ラストバイ 有効
在庫状況 In Stock In Stock
単価(USD) $50.85 $7.50
メモリタイプ DDR4 SDRAM DDR4 SDRAM
Density 8 Gb —
メモリ構成 1G x 8 —
データレート 2666 Mbps (PC4-2133) 3200 Mbps (PC4-25600)
Supply Voltage (VDD/VDDQ) 1.2 V (1.14 V to 1.26 V) —
パッケージ 78-ball FBGA (78FBGA) FBGA-78 (TFBGA)
Ball Pitch 0.8 mm —
動作温度 0C to +95C 0°C to +95°C (TC)
Standard Operating Temp Range 0C to +85C —
Burst Length 8 (chop 4) 8 (BL8)
Auto Precharge Yes Yes
Asynchronous Reset Yes Yes
CRC Function Yes Yes
ZQ Calibration Yes Yes
Dynamic ODT Yes —
Data Mask Yes —
インターフェースタイプ Synchronous, parallel —
実装タイプ Surface Mount —
RoHS ステータス [DATA_NEEDED: RoHS status] Compliant
メモリサイズ — 8 Gb (1G x 8)
電源電圧 — 1.2 V
Speed Bin — CL22-22-22
On-Die Termination — Yes (ODT)
Dynamic On-Chip Termination — Yes
Data Mask Function — Yes
JESD-30 Code — R-PBGA-B78
Number of Terminals — 78

データシート&リソース

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