K4A8G085WC-BIWE vs K4A8G085WC-BCRC Vergleich
Detaillierter Direktvergleich von K4A8G085WC-BIWE von Samsung Electronics und K4A8G085WC-BCRC von Samsung Electronics. Vergleichen Sie die wichtigsten Spezifikationen, elektrischen Parameter, Gehäuse, Lebenszyklusstatus, Preise und Verfügbarkeit, um das beste Bauteil für Ihre Designanforderungen zu ermitteln.
Spezifikationsvergleich
| Parameter | K4A8G085WC-BIWE | K4A8G085WC-BCRC |
|---|---|---|
| Marke | Samsung Electronics | Samsung Electronics |
| Kategorie | Memory ICs | DRAM |
| Lebenszyklusstatus | Aktiv | Aktiv |
| Lagerstatus | In Stock | In Stock |
| Stückpreis (USD) | $6,29 | $4,30 |
| Speichertyp | DDR4 SDRAM | DDR4 SDRAM |
| Density | 8 Gb | 8 Gbit |
| Speicherorganisation | 1G x 8 | 1G x 8 |
| Datenrate | 3200 Mbps | 2400 Mbps (DDR4-2400) |
| Supply Voltage (VDD) | 1.2 V | — |
| Supply Voltage (VDDQ) | 1.2 V | — |
| Betriebstemperaturbereich | -40°C to +95°C | — |
| Gehäuse | 78-FBGA | 78-ball FBGA (TFBGA) |
| Montageart | Surface Mount | Surface Mount |
| Schnittstelle | POD-12 | — |
| Burst Length | 8 (BL8), 4 (BC4) | — |
| CAS-Latenz | 22 (CL22) | — |
| Refresh | Auto-refresh, self-refresh | Auto/Self refresh |
| RoHS-Status | Compliant | Compliant |
| Lead-Free | Yes | — |
| Versorgungsspannung | — | 1.2 V |
| Terminal Pitch | — | 0.8 mm |
| Betriebstemperatur | — | 0C to +95C |
| Auto Precharge | — | Yes |
| Asynchronous Reset | — | Yes |
| CRC Function | — | Yes |
| ZQ Calibration | — | Yes |
| Dynamic On-Die Termination | — | Yes |
| Data Mask Function | — | Yes |