K4A8G085WC-BIWE vs K4A8G085WC-BCRC Comparaison
Comparaison détaillée côte à côte de K4A8G085WC-BIWE par Samsung Electronics et K4A8G085WC-BCRC par Samsung Electronics. Comparez les spécifications clés, les paramètres électriques, le conditionnement, le statut de cycle de vie, les prix et la disponibilité pour déterminer le meilleur composant pour vos exigences de conception.
Comparaison des spécifications
| Paramètre | K4A8G085WC-BIWE | K4A8G085WC-BCRC |
|---|---|---|
| Marque | Samsung Electronics | Samsung Electronics |
| Catégorie | Memory ICs | DRAM |
| Statut du cycle de vie | Actif | Actif |
| Statut du stock | In Stock | In Stock |
| Prix unitaire (USD) | $6,29 | $4,30 |
| Type de mémoire | DDR4 SDRAM | DDR4 SDRAM |
| Density | 8 Gb | 8 Gbit |
| Organisation de la mémoire | 1G x 8 | 1G x 8 |
| Débit de données | 3200 Mbps | 2400 Mbps (DDR4-2400) |
| Supply Voltage (VDD) | 1.2 V | — |
| Supply Voltage (VDDQ) | 1.2 V | — |
| Plage de température de fonctionnement | -40°C to +95°C | — |
| Boîtier | 78-FBGA | 78-ball FBGA (TFBGA) |
| Type de montage | Surface Mount | Surface Mount |
| Interface | POD-12 | — |
| Burst Length | 8 (BL8), 4 (BC4) | — |
| Latence CAS | 22 (CL22) | — |
| Refresh | Auto-refresh, self-refresh | Auto/Self refresh |
| Statut RoHS | Compliant | Compliant |
| Lead-Free | Yes | — |
| Tension d'alimentation | — | 1.2 V |
| Terminal Pitch | — | 0.8 mm |
| Température de fonctionnement | — | 0C to +95C |
| Auto Precharge | — | Yes |
| Asynchronous Reset | — | Yes |
| CRC Function | — | Yes |
| ZQ Calibration | — | Yes |
| Dynamic On-Die Termination | — | Yes |
| Data Mask Function | — | Yes |