K4A8G085WC-BIWE vs K4A8G085WC-BCRC Comparação
Comparação detalhada lado a lado de K4A8G085WC-BIWE por Samsung Electronics e K4A8G085WC-BCRC por Samsung Electronics. Compare especificações principais, parâmetros elétricos, encapsulamento, status do ciclo de vida, preços e disponibilidade para determinar o melhor componente para os requisitos do seu projeto.
Comparação de especificações
| Parâmetro | K4A8G085WC-BIWE | K4A8G085WC-BCRC |
|---|---|---|
| Marca | Samsung Electronics | Samsung Electronics |
| Categoria | Memory ICs | DRAM |
| Status do ciclo de vida | Ativo | Ativo |
| Status do estoque | In Stock | In Stock |
| Preço unitário (USD) | $6,29 | $4,30 |
| Tipo de memória | DDR4 SDRAM | DDR4 SDRAM |
| Density | 8 Gb | 8 Gbit |
| Organização da memória | 1G x 8 | 1G x 8 |
| Taxa de dados | 3200 Mbps | 2400 Mbps (DDR4-2400) |
| Supply Voltage (VDD) | 1.2 V | — |
| Supply Voltage (VDDQ) | 1.2 V | — |
| Faixa de temperatura de operação | -40°C to +95°C | — |
| Encapsulamento | 78-FBGA | 78-ball FBGA (TFBGA) |
| Tipo de montagem | Surface Mount | Surface Mount |
| Interface | POD-12 | — |
| Burst Length | 8 (BL8), 4 (BC4) | — |
| Latência CAS | 22 (CL22) | — |
| Refresh | Auto-refresh, self-refresh | Auto/Self refresh |
| Status RoHS | Compliant | Compliant |
| Lead-Free | Yes | — |
| Tensão de alimentação | — | 1.2 V |
| Terminal Pitch | — | 0.8 mm |
| Temperatura de operação | — | 0C to +95C |
| Auto Precharge | — | Yes |
| Asynchronous Reset | — | Yes |
| CRC Function | — | Yes |
| ZQ Calibration | — | Yes |
| Dynamic On-Die Termination | — | Yes |
| Data Mask Function | — | Yes |