K4A8G085WC vs K4A8G085WC-BCTD Vergleich

Detaillierter Direktvergleich von K4A8G085WC von Samsung Electronics und K4A8G085WC-BCTD von Samsung Electronics. Vergleichen Sie die wichtigsten Spezifikationen, elektrischen Parameter, Gehäuse, Lebenszyklusstatus, Preise und Verfügbarkeit, um das beste Bauteil für Ihre Designanforderungen zu ermitteln.

Samsung Electronics
K4A8G085WC K4A8G085WC - 8Gb DDR4 SDRAM 1Gx8 2666Mbps | Samsung Electronics

K4A8G085WC - 8Gb DDR4 SDRAM 1Gx8 2666Mbps | Samsung Electronics

K4A8G085WC ✓ Aktiv
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K4A8G085WC-BCTD K4A8G085WC-BCTD - 8Gb DDR4 SDRAM 2666Mbps 1.2V | Samsung

K4A8G085WC-BCTD - 8Gb DDR4 SDRAM 2666Mbps 1.2V | Samsung

K4A8G085WC-BCTD ⚠ Letzte Bestellmöglichkeit

Spezifikationsvergleich

Parameter K4A8G085WC K4A8G085WC-BCTD
Marke Samsung Electronics Samsung Electronics
Kategorie Memory ICs Memory ICs
Lebenszyklusstatus Aktiv Letzte Kaufgelegenheit
Lagerstatus In Stock In Stock
Stückpreis (USD) $24,90 $50,85
Speichertyp DDR4 SDRAM DDR4 SDRAM
Density 8 Gbit 8 Gb
Speicherorganisation 1G x 8 1G x 8
Speed 2666 Mbps/pin (DDR4-2666) —
Versorgungsspannung 1.2 V —
Supply Voltage Range 1.14 V to 1.26 V —
Clock Frequency 1333 MHz (1333.333 GHz nominal, per web data) —
Operating Temperature (K4A8G085WC-BITD) -40 C to +95 C —
Operating Temperature (K4A8G085WC-BCTD) 0 C to +95 C —
Gehäuse 78-ball FBGA (78FBGA) 78-ball FBGA (78FBGA)
Montageart Surface Mount Surface Mount
Auto Precharge Yes Yes
Asynchronous Reset Yes Yes
CRC Function Yes Yes
ZQ Calibration Yes Yes
Dynamic On-Chip Termination (ODT) Yes —
Data Mask (DM) Yes —
RoHS-Status [DATA_NEEDED: RoHS status] [DATA_NEEDED: RoHS status]
Datenrate — 2666 Mbps (PC4-2133)
Supply Voltage (VDD/VDDQ) — 1.2 V (1.14 V to 1.26 V)
Ball Pitch — 0.8 mm
Betriebstemperatur — 0C to +95C
Standard Operating Temp Range — 0C to +85C
Burst Length — 8 (chop 4)
Dynamic ODT — Yes
Data Mask — Yes
Schnittstellentyp — Synchronous, parallel

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