K4A8G085WC vs K4A8G085WC-BCTD 比較

詳細な並列比較: K4A8G085WC メーカー: Samsung Electronics および K4A8G085WC-BCTD メーカー: Samsung Electronics。主要仕様、電気的特性、パッケージ、ライフサイクルステータス、価格、在庫状況を比較して、設計要件に最適な部品を判断してください。

Samsung Electronics
K4A8G085WC K4A8G085WC - 8Gb DDR4 SDRAM 1Gx8 2666Mbps | Samsung Electronics

K4A8G085WC - 8Gb DDR4 SDRAM 1Gx8 2666Mbps | Samsung Electronics

K4A8G085WC ✓ 生産中
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K4A8G085WC-BCTD K4A8G085WC-BCTD - 8Gb DDR4 SDRAM 2666Mbps 1.2V | Samsung

K4A8G085WC-BCTD - 8Gb DDR4 SDRAM 2666Mbps 1.2V | Samsung

K4A8G085WC-BCTD ⚠ ラストタイムバイ

仕様比較

パラメータ K4A8G085WC K4A8G085WC-BCTD
ブランド Samsung Electronics Samsung Electronics
カテゴリ Memory ICs Memory ICs
ライフサイクル状態 有効 ラストバイ
在庫状況 In Stock In Stock
単価(USD) $24.90 $50.85
メモリタイプ DDR4 SDRAM DDR4 SDRAM
Density 8 Gbit 8 Gb
メモリ構成 1G x 8 1G x 8
Speed 2666 Mbps/pin (DDR4-2666) —
電源電圧 1.2 V —
Supply Voltage Range 1.14 V to 1.26 V —
Clock Frequency 1333 MHz (1333.333 GHz nominal, per web data) —
Operating Temperature (K4A8G085WC-BITD) -40 C to +95 C —
Operating Temperature (K4A8G085WC-BCTD) 0 C to +95 C —
パッケージ 78-ball FBGA (78FBGA) 78-ball FBGA (78FBGA)
実装タイプ Surface Mount Surface Mount
Auto Precharge Yes Yes
Asynchronous Reset Yes Yes
CRC Function Yes Yes
ZQ Calibration Yes Yes
Dynamic On-Chip Termination (ODT) Yes —
Data Mask (DM) Yes —
RoHS ステータス [DATA_NEEDED: RoHS status] [DATA_NEEDED: RoHS status]
データレート — 2666 Mbps (PC4-2133)
Supply Voltage (VDD/VDDQ) — 1.2 V (1.14 V to 1.26 V)
Ball Pitch — 0.8 mm
動作温度 — 0C to +95C
Standard Operating Temp Range — 0C to +85C
Burst Length — 8 (chop 4)
Dynamic ODT — Yes
Data Mask — Yes
インターフェースタイプ — Synchronous, parallel

データシート&リソース

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