K4A8G165WB-BCPB vs K4A8G165WB-BCRC Vergleich
Detaillierter Direktvergleich von K4A8G165WB-BCPB von Samsung Electronics und K4A8G165WB-BCRC von Samsung Electronics. Vergleichen Sie die wichtigsten Spezifikationen, elektrischen Parameter, Gehäuse, Lebenszyklusstatus, Preise und Verfügbarkeit, um das beste Bauteil für Ihre Designanforderungen zu ermitteln.
Spezifikationsvergleich
| Parameter | K4A8G165WB-BCPB | K4A8G165WB-BCRC |
|---|---|---|
| Marke | Samsung Electronics | Samsung Electronics |
| Kategorie | Memory ICs | Memory ICs |
| Lebenszyklusstatus | Aktiv | Aktiv |
| Lagerstatus | In Stock | In Stock |
| Stückpreis (USD) | $2,30 | $12,57 |
| Density | 8 Gb | — |
| Speicherorganisation | 512M x 16 | — |
| Speed Grade | 2133 Mbps (PC4-17000) | — |
| Versorgungsspannung | 1.2 V (1.14 V to 1.26 V) | 1.2 V (1.14 V to 1.26 V) |
| Betriebstemperatur | 0°C to 85°C | -40C to +95C |
| Gehäuse | 96-ball FBGA (TFBGA-96) | 96-ball FBGA (PBGA96) |
| Burst Length | 8 (BL8) | — |
| Burst Type | Sequential and Interleave | — |
| CAS-Latenz | Programmable (e.g., 15, 16, 18) | — |
| Refresh | Auto and Self Refresh | Auto-refresh and self-refresh |
| Number of Terminals | 96 | — |
| Package Code | TFBGA | — |
| Package Shape | RECTANGULAR | — |
| Terminal Position | BOTTOM | — |
| RoHS-Status | Compliant | Compliant |
| Speichertyp | — | DDR4 SDRAM (DRAM, volatile) |
| Speichergröße | — | 8 Gb (1 GB) |
| Memory Organization | — | 512M x 16 |
| Datenrate | — | 2400 Mbps (PC4-19200) |
| Technology | — | CMOS DRAM, Samsung 8Gb B-die |
| Ball Pitch | — | 0.8 mm |
| Montageart | — | Surface Mount |
| Schnittstelle | — | DDR4 (Double Data Rate, synchronous) |
| On-Die Termination | — | Yes (ODT with dynamic ODT) |
| ZQ Calibration | — | Yes |
| CRC / CA Parity | — | Yes (CRC function) |
| Auto Precharge | — | Yes |
| Asynchronous Reset | — | Yes |