K4A8G165WB-BCPB vs K4A8G165WB-BCRC Comparaison
Comparaison détaillée côte à côte de K4A8G165WB-BCPB par Samsung Electronics et K4A8G165WB-BCRC par Samsung Electronics. Comparez les spécifications clés, les paramètres électriques, le conditionnement, le statut de cycle de vie, les prix et la disponibilité pour déterminer le meilleur composant pour vos exigences de conception.
Comparaison des spécifications
| Paramètre | K4A8G165WB-BCPB | K4A8G165WB-BCRC |
|---|---|---|
| Marque | Samsung Electronics | Samsung Electronics |
| Catégorie | Memory ICs | Memory ICs |
| Statut du cycle de vie | Actif | Actif |
| Statut du stock | In Stock | In Stock |
| Prix unitaire (USD) | $2,30 | $12,57 |
| Density | 8 Gb | — |
| Organisation de la mémoire | 512M x 16 | — |
| Speed Grade | 2133 Mbps (PC4-17000) | — |
| Tension d'alimentation | 1.2 V (1.14 V to 1.26 V) | 1.2 V (1.14 V to 1.26 V) |
| Température de fonctionnement | 0°C to 85°C | -40C to +95C |
| Boîtier | 96-ball FBGA (TFBGA-96) | 96-ball FBGA (PBGA96) |
| Burst Length | 8 (BL8) | — |
| Burst Type | Sequential and Interleave | — |
| Latence CAS | Programmable (e.g., 15, 16, 18) | — |
| Refresh | Auto and Self Refresh | Auto-refresh and self-refresh |
| Number of Terminals | 96 | — |
| Package Code | TFBGA | — |
| Package Shape | RECTANGULAR | — |
| Terminal Position | BOTTOM | — |
| Statut RoHS | Compliant | Compliant |
| Type de mémoire | — | DDR4 SDRAM (DRAM, volatile) |
| Taille de mémoire | — | 8 Gb (1 GB) |
| Memory Organization | — | 512M x 16 |
| Débit de données | — | 2400 Mbps (PC4-19200) |
| Technology | — | CMOS DRAM, Samsung 8Gb B-die |
| Ball Pitch | — | 0.8 mm |
| Type de montage | — | Surface Mount |
| Interface | — | DDR4 (Double Data Rate, synchronous) |
| On-Die Termination | — | Yes (ODT with dynamic ODT) |
| ZQ Calibration | — | Yes |
| CRC / CA Parity | — | Yes (CRC function) |
| Auto Precharge | — | Yes |
| Asynchronous Reset | — | Yes |