K4A8G165WB-BCPB vs K4A8G165WC-BCPB Vergleich
Detaillierter Direktvergleich von K4A8G165WB-BCPB von Samsung Electronics und K4A8G165WC-BCPB von Samsung Electronics. Vergleichen Sie die wichtigsten Spezifikationen, elektrischen Parameter, Gehäuse, Lebenszyklusstatus, Preise und Verfügbarkeit, um das beste Bauteil für Ihre Designanforderungen zu ermitteln.
Spezifikationsvergleich
| Parameter | K4A8G165WB-BCPB | K4A8G165WC-BCPB |
|---|---|---|
| Marke | Samsung Electronics | Samsung Electronics |
| Kategorie | Memory ICs | Memory ICs |
| Lebenszyklusstatus | Aktiv | Aktiv |
| Lagerstatus | In Stock | In Stock |
| Stückpreis (USD) | $2,30 | $1,31 |
| Density | 8 Gb | — |
| Speicherorganisation | 512M x 16 | — |
| Speed Grade | 2133 Mbps (PC4-17000) | — |
| Versorgungsspannung | 1.2 V (1.14 V to 1.26 V) | 1.2 V |
| Betriebstemperatur | 0°C to 85°C | 0C to +95C |
| Gehäuse | 96-ball FBGA (TFBGA-96) | 96-ball FBGA (TFBGA) |
| Burst Length | 8 (BL8) | — |
| Burst Type | Sequential and Interleave | — |
| CAS-Latenz | Programmable (e.g., 15, 16, 18) | — |
| Refresh | Auto and Self Refresh | — |
| Number of Terminals | 96 | — |
| Package Code | TFBGA | — |
| Package Shape | RECTANGULAR | — |
| Terminal Position | BOTTOM | — |
| RoHS-Status | Compliant | Compliant |
| Speichertyp | — | DDR4 SDRAM (volatile DRAM) |
| Speichergröße | — | 8 Gb |
| Memory Organization | — | 512M x 16 |
| Datenrate | — | DDR4-2133 (2133 Mbps/pin) |
| Operating Voltage Range | — | 1.14 V to 1.26 V |
| Schnittstelle | — | DDR4 (16-bit data bus) |
| Die Generation | — | C-die (1Y nm class) |
| Montageart | — | Surface Mount |
| Eigenschaften | — | Auto precharge, asynchronous reset, CRC, ZQ calibration, dynamic ODT, data mask |
| Termination | — | On-die termination (ODT), dynamic |
| MSL-Level | — | [DATA_NEEDED: MSL Level] |
| Standard | — | JEDEC DDR4 SDRAM |