K4A8G165WB-BIWE vs K4A8G165WB-BCRC Vergleich
Detaillierter Direktvergleich von K4A8G165WB-BIWE von Samsung Electronics und K4A8G165WB-BCRC von Samsung Electronics. Vergleichen Sie die wichtigsten Spezifikationen, elektrischen Parameter, Gehäuse, Lebenszyklusstatus, Preise und Verfügbarkeit, um das beste Bauteil für Ihre Designanforderungen zu ermitteln.
Spezifikationsvergleich
| Parameter | K4A8G165WB-BIWE | K4A8G165WB-BCRC |
|---|---|---|
| Marke | Samsung Electronics | Samsung Electronics |
| Kategorie | Memory ICs | Memory ICs |
| Lebenszyklusstatus | Aktiv | Aktiv |
| Lagerstatus | In Stock | In Stock |
| Stückpreis (USD) | $14,22 | $12,57 |
| Speichertyp | DDR4 SDRAM | DDR4 SDRAM (DRAM, volatile) |
| Density | 8 Gb | — |
| Speicherorganisation | 512M x 16 | — |
| Datenrate | 3200 Mbps | 2400 Mbps (PC4-19200) |
| Versorgungsspannung | 1.2 V | 1.2 V (1.14 V to 1.26 V) |
| Betriebstemperatur | -40°C to +95°C | -40C to +95C |
| Gehäuse | 96-ball FBGA | 96-ball FBGA (PBGA96) |
| Schnittstelle | Parallel | DDR4 (Double Data Rate, synchronous) |
| Burst Length | 8, 16 | — |
| CAS-Latenz | [DATA_NEEDED: CAS Latency] | — |
| Refresh | Auto-refresh, Self-refresh | Auto-refresh and self-refresh |
| On-Die Termination | Yes | Yes (ODT with dynamic ODT) |
| RoHS | Compliant | — |
| Montageart | Surface Mount | Surface Mount |
| Anzahl der Pins | 96 | — |
| Speichergröße | — | 8 Gb (1 GB) |
| Memory Organization | — | 512M x 16 |
| Technology | — | CMOS DRAM, Samsung 8Gb B-die |
| Ball Pitch | — | 0.8 mm |
| ZQ Calibration | — | Yes |
| CRC / CA Parity | — | Yes (CRC function) |
| Auto Precharge | — | Yes |
| Asynchronous Reset | — | Yes |
| RoHS-Status | — | Compliant |