K4A8G165WB-BIWE vs K4A8G165WB-BCRC Comparación
Comparación detallada lado a lado de K4A8G165WB-BIWE por Samsung Electronics y K4A8G165WB-BCRC por Samsung Electronics. Compare las especificaciones clave, los parámetros eléctricos, el encapsulado, el estado del ciclo de vida, los precios y la disponibilidad para determinar el mejor componente para los requisitos de su diseño.
Samsung Electronics
K4A8G165WB-BCRC - 8Gb DDR4 SDRAM x16 2400Mbps | Samsung
K4A8G165WB-BCRC ✓ ActivoComparación de especificaciones
| Parámetro | K4A8G165WB-BIWE | K4A8G165WB-BCRC |
|---|---|---|
| Marca | Samsung Electronics | Samsung Electronics |
| Categoría | Memory ICs | Memory ICs |
| Estado del ciclo de vida | Activo | Activo |
| Estado del stock | In Stock | In Stock |
| Precio unitario (USD) | $14,22 | $12,57 |
| Tipo de memoria | DDR4 SDRAM | DDR4 SDRAM (DRAM, volatile) |
| Density | 8 Gb | — |
| Organización de memoria | 512M x 16 | — |
| Velocidad de datos | 3200 Mbps | 2400 Mbps (PC4-19200) |
| Tensión de alimentación | 1.2 V | 1.2 V (1.14 V to 1.26 V) |
| Temperatura de funcionamiento | -40°C to +95°C | -40C to +95C |
| Encapsulado | 96-ball FBGA | 96-ball FBGA (PBGA96) |
| Interfaz | Parallel | DDR4 (Double Data Rate, synchronous) |
| Burst Length | 8, 16 | — |
| Latencia CAS | [DATA_NEEDED: CAS Latency] | — |
| Refresh | Auto-refresh, Self-refresh | Auto-refresh and self-refresh |
| On-Die Termination | Yes | Yes (ODT with dynamic ODT) |
| RoHS | Compliant | — |
| Tipo de montaje | Surface Mount | Surface Mount |
| Número de pines | 96 | — |
| Tamaño de memoria | — | 8 Gb (1 GB) |
| Memory Organization | — | 512M x 16 |
| Technology | — | CMOS DRAM, Samsung 8Gb B-die |
| Ball Pitch | — | 0.8 mm |
| ZQ Calibration | — | Yes |
| CRC / CA Parity | — | Yes (CRC function) |
| Auto Precharge | — | Yes |
| Asynchronous Reset | — | Yes |
| Estado RoHS | — | Compliant |