K4A8G165WB-BIWE vs K4A8G165WB-BCRC Comparaison
Comparaison détaillée côte à côte de K4A8G165WB-BIWE par Samsung Electronics et K4A8G165WB-BCRC par Samsung Electronics. Comparez les spécifications clés, les paramètres électriques, le conditionnement, le statut de cycle de vie, les prix et la disponibilité pour déterminer le meilleur composant pour vos exigences de conception.
Comparaison des spécifications
| Paramètre | K4A8G165WB-BIWE | K4A8G165WB-BCRC |
|---|---|---|
| Marque | Samsung Electronics | Samsung Electronics |
| Catégorie | Memory ICs | Memory ICs |
| Statut du cycle de vie | Actif | Actif |
| Statut du stock | In Stock | In Stock |
| Prix unitaire (USD) | $14,22 | $12,57 |
| Type de mémoire | DDR4 SDRAM | DDR4 SDRAM (DRAM, volatile) |
| Density | 8 Gb | — |
| Organisation de la mémoire | 512M x 16 | — |
| Débit de données | 3200 Mbps | 2400 Mbps (PC4-19200) |
| Tension d'alimentation | 1.2 V | 1.2 V (1.14 V to 1.26 V) |
| Température de fonctionnement | -40°C to +95°C | -40C to +95C |
| Boîtier | 96-ball FBGA | 96-ball FBGA (PBGA96) |
| Interface | Parallel | DDR4 (Double Data Rate, synchronous) |
| Burst Length | 8, 16 | — |
| Latence CAS | [DATA_NEEDED: CAS Latency] | — |
| Refresh | Auto-refresh, Self-refresh | Auto-refresh and self-refresh |
| On-Die Termination | Yes | Yes (ODT with dynamic ODT) |
| RoHS | Compliant | — |
| Type de montage | Surface Mount | Surface Mount |
| Nombre de broches | 96 | — |
| Taille de mémoire | — | 8 Gb (1 GB) |
| Memory Organization | — | 512M x 16 |
| Technology | — | CMOS DRAM, Samsung 8Gb B-die |
| Ball Pitch | — | 0.8 mm |
| ZQ Calibration | — | Yes |
| CRC / CA Parity | — | Yes (CRC function) |
| Auto Precharge | — | Yes |
| Asynchronous Reset | — | Yes |
| Statut RoHS | — | Compliant |