K4A8G165WC-BCPB vs K4A8G165WB-BCPB Vergleich
Detaillierter Direktvergleich von K4A8G165WC-BCPB von Samsung Electronics und K4A8G165WB-BCPB von Samsung Electronics. Vergleichen Sie die wichtigsten Spezifikationen, elektrischen Parameter, Gehäuse, Lebenszyklusstatus, Preise und Verfügbarkeit, um das beste Bauteil für Ihre Designanforderungen zu ermitteln.
Spezifikationsvergleich
| Parameter | K4A8G165WC-BCPB | K4A8G165WB-BCPB |
|---|---|---|
| Marke | Samsung Electronics | Samsung Electronics |
| Kategorie | Memory ICs | Memory ICs |
| Lebenszyklusstatus | Aktiv | Aktiv |
| Lagerstatus | In Stock | In Stock |
| Stückpreis (USD) | $1,31 | $2,30 |
| Speichertyp | DDR4 SDRAM (volatile DRAM) | — |
| Speichergröße | 8 Gb | — |
| Memory Organization | 512M x 16 | — |
| Datenrate | DDR4-2133 (2133 Mbps/pin) | — |
| Versorgungsspannung | 1.2 V | 1.2 V (1.14 V to 1.26 V) |
| Operating Voltage Range | 1.14 V to 1.26 V | — |
| Schnittstelle | DDR4 (16-bit data bus) | — |
| Gehäuse | 96-ball FBGA (TFBGA) | 96-ball FBGA (TFBGA-96) |
| Die Generation | C-die (1Y nm class) | — |
| Montageart | Surface Mount | — |
| Betriebstemperatur | 0C to +95C | 0°C to 85°C |
| Eigenschaften | Auto precharge, asynchronous reset, CRC, ZQ calibration, dynamic ODT, data mask | — |
| Termination | On-die termination (ODT), dynamic | — |
| MSL-Level | [DATA_NEEDED: MSL Level] | — |
| RoHS-Status | Compliant | Compliant |
| Standard | JEDEC DDR4 SDRAM | — |
| Density | — | 8 Gb |
| Speicherorganisation | — | 512M x 16 |
| Speed Grade | — | 2133 Mbps (PC4-17000) |
| Burst Length | — | 8 (BL8) |
| Burst Type | — | Sequential and Interleave |
| CAS-Latenz | — | Programmable (e.g., 15, 16, 18) |
| Refresh | — | Auto and Self Refresh |
| Number of Terminals | — | 96 |
| Package Code | — | TFBGA |
| Package Shape | — | RECTANGULAR |
| Terminal Position | — | BOTTOM |