K4B4G1646 vs K4B4G1646Q Vergleich
Detaillierter Direktvergleich von K4B4G1646 von Samsung Electronics und K4B4G1646Q von Samsung Electronics. Vergleichen Sie die wichtigsten Spezifikationen, elektrischen Parameter, Gehäuse, Lebenszyklusstatus, Preise und Verfügbarkeit, um das beste Bauteil für Ihre Designanforderungen zu ermitteln.
Spezifikationsvergleich
| Parameter | K4B4G1646 | K4B4G1646Q |
|---|---|---|
| Marke | Samsung Electronics | Samsung Electronics |
| Kategorie | Memory ICs | Memory ICs |
| Lebenszyklusstatus | Aktiv | Aktiv |
| Lagerstatus | In Stock | In Stock |
| Stückpreis (USD) | $11,96 | $6,50 |
| Speichertyp | DDR3 SDRAM | DDR3L SDRAM |
| Speichergröße | 4 Gbit | — |
| Speicherorganisation | 256M x 16 | 256M x 16 |
| Schnittstelle | Parallel | — |
| Max Data Rate | Up to 2133 Mbps (grade dependent) | — |
| Clock Frequency Range | 800 MHz to 2133 Mbps (grade dependent) | — |
| Versorgungsspannung | 1.5 V (DDR3L variants 1.35 V) | 1.35V |
| Gehäuse | 96-FBGA | 96-ball FBGA |
| Montageart | Surface Mount | — |
| Betriebstemperatur | 0C to +95C | [DATA_NEEDED: Operating temperature range] |
| On-Chip Termination (ODT) | Dynamic ODT | — |
| ZQ Calibration | Yes | — |
| Auto Precharge | Yes | — |
| Asynchronous Reset | Yes | — |
| Data Mask Function | Yes | — |
| Die Revisions | B-die, D-die, Q-die (DDR3L) | — |
| RoHS-Status | [DATA_NEEDED: RoHS status] | — |
| MSL-Level | [DATA_NEEDED: moisture sensitivity level] | — |
| Density | — | 4Gb |
| Datenbusbreite | — | 16 bits |
| Datenrate | — | 1866 Mbps (PC3-14900) |
| Die | — | Q-die |
| Lead-Free | — | Yes |
| Halogenfrei | — | Yes |
| RoHS Compliant | — | Yes |
| Burst Length | — | 8 (BL8) |
| On-Die Termination | — | Yes (ODT) |
| CAS-Latenz | — | Programmable |