K4B4G1646 vs K4B4G1646Q Comparación
Comparación detallada lado a lado de K4B4G1646 por Samsung Electronics y K4B4G1646Q por Samsung Electronics. Compare las especificaciones clave, los parámetros eléctricos, el encapsulado, el estado del ciclo de vida, los precios y la disponibilidad para determinar el mejor componente para los requisitos de su diseño.
Comparación de especificaciones
| Parámetro | K4B4G1646 | K4B4G1646Q |
|---|---|---|
| Marca | Samsung Electronics | Samsung Electronics |
| Categoría | Memory ICs | Memory ICs |
| Estado del ciclo de vida | Activo | Activo |
| Estado del stock | In Stock | In Stock |
| Precio unitario (USD) | $11,96 | $6,50 |
| Tipo de memoria | DDR3 SDRAM | DDR3L SDRAM |
| Tamaño de memoria | 4 Gbit | — |
| Organización de memoria | 256M x 16 | 256M x 16 |
| Interfaz | Parallel | — |
| Max Data Rate | Up to 2133 Mbps (grade dependent) | — |
| Clock Frequency Range | 800 MHz to 2133 Mbps (grade dependent) | — |
| Tensión de alimentación | 1.5 V (DDR3L variants 1.35 V) | 1.35V |
| Encapsulado | 96-FBGA | 96-ball FBGA |
| Tipo de montaje | Surface Mount | — |
| Temperatura de funcionamiento | 0C to +95C | [DATA_NEEDED: Operating temperature range] |
| On-Chip Termination (ODT) | Dynamic ODT | — |
| ZQ Calibration | Yes | — |
| Auto Precharge | Yes | — |
| Asynchronous Reset | Yes | — |
| Data Mask Function | Yes | — |
| Die Revisions | B-die, D-die, Q-die (DDR3L) | — |
| Estado RoHS | [DATA_NEEDED: RoHS status] | — |
| Nivel MSL | [DATA_NEEDED: moisture sensitivity level] | — |
| Density | — | 4Gb |
| Ancho del bus de datos | — | 16 bits |
| Velocidad de datos | — | 1866 Mbps (PC3-14900) |
| Die | — | Q-die |
| Lead-Free | — | Yes |
| Sin halógenos | — | Yes |
| RoHS Compliant | — | Yes |
| Burst Length | — | 8 (BL8) |
| On-Die Termination | — | Yes (ODT) |
| Latencia CAS | — | Programmable |