K4B4G1646 vs K4B4G1646Q Сравнение
Подробное сравнение бок о бок K4B4G1646 от Samsung Electronics и K4B4G1646Q от Samsung Electronics. Сравните ключевые характеристики, электрические параметры, упаковку, статус жизненного цикла, цены и наличие, чтобы выбрать лучший компонент для ваших требований.
Сравнение характеристик
| Параметр | K4B4G1646 | K4B4G1646Q |
|---|---|---|
| Бренд | Samsung Electronics | Samsung Electronics |
| Категория | Memory ICs | Memory ICs |
| Статус жизненного цикла | Активен | Активен |
| Наличие | In Stock | In Stock |
| Цена за единицу (USD) | $11,96 | $6,50 |
| Тип памяти | DDR3 SDRAM | DDR3L SDRAM |
| Размер памяти | 4 Gbit | — |
| Организация памяти | 256M x 16 | 256M x 16 |
| Интерфейс | Parallel | — |
| Max Data Rate | Up to 2133 Mbps (grade dependent) | — |
| Clock Frequency Range | 800 MHz to 2133 Mbps (grade dependent) | — |
| Напряжение питания | 1.5 V (DDR3L variants 1.35 V) | 1.35V |
| Корпус | 96-FBGA | 96-ball FBGA |
| Тип монтажа | Surface Mount | — |
| Рабочая температура | 0C to +95C | [DATA_NEEDED: Operating temperature range] |
| On-Chip Termination (ODT) | Dynamic ODT | — |
| ZQ Calibration | Yes | — |
| Auto Precharge | Yes | — |
| Asynchronous Reset | Yes | — |
| Data Mask Function | Yes | — |
| Die Revisions | B-die, D-die, Q-die (DDR3L) | — |
| Статус RoHS | [DATA_NEEDED: RoHS status] | — |
| Уровень MSL | [DATA_NEEDED: moisture sensitivity level] | — |
| Density | — | 4Gb |
| Разрядность шины данных | — | 16 bits |
| Скорость передачи данных | — | 1866 Mbps (PC3-14900) |
| Die | — | Q-die |
| Lead-Free | — | Yes |
| Без галогенов | — | Yes |
| RoHS Compliant | — | Yes |
| Burst Length | — | 8 (BL8) |
| On-Die Termination | — | Yes (ODT) |
| Задержка CAS | — | Programmable |