K4B4G1646D-BHMA vs K4B4G1646E-BYMA Vergleich
Detaillierter Direktvergleich von K4B4G1646D-BHMA von Samsung Electronics und K4B4G1646E-BYMA von Samsung Electronics. Vergleichen Sie die wichtigsten Spezifikationen, elektrischen Parameter, Gehäuse, Lebenszyklusstatus, Preise und Verfügbarkeit, um das beste Bauteil für Ihre Designanforderungen zu ermitteln.
Spezifikationsvergleich
| Parameter | K4B4G1646D-BHMA | K4B4G1646E-BYMA |
|---|---|---|
| Marke | Samsung Electronics | Samsung Electronics |
| Kategorie | Memory ICs | Memory ICs |
| Lebenszyklusstatus | Aktiv | Aktiv |
| Lagerstatus | In Stock | In Stock |
| Stückpreis (USD) | $2,90 | $14,32 |
| Speichertyp | DDR3L SDRAM | DDR3L SDRAM |
| Density | 4 Gb | 4 Gb |
| Speicherorganisation | 256M x 16 | 256M x 16 |
| Datenrate | 1866 Mbps | 1866 Mbps/pin |
| Versorgungsspannung | 1.35 V (1.283 V to 1.45 V) | 1.35 V (1.28 V to 1.575 V) |
| Gehäuse | 96-ball FBGA | FBGA-96 |
| Betriebstemperatur | -40°C to +95°C (TC) | 0°C to +95°C |
| CAS-Latenz | 13 (at 1866 Mbps) | [DATA_NEEDED: CAS Latency] |
| Burst Length | 8 and 4 | [DATA_NEEDED: Burst Length] |
| Number of Terminals | 96 | — |
| Lead-Free | Yes | — |
| Halogenfrei | Yes | — |
| RoHS Compliant | Yes | — |
| Die Version | D-die | — |
| Refresh Mode | Auto and Self Refresh | — |
| Clock Frequency | — | 933 MHz |
| Operating Current | — | 14 mA |
| Standby Current | — | 2 mA, 3 mA |
| Montageart | — | Surface Mount |
| RoHS | — | Compliant |
| Anzahl der Pins | — | 96 |