K4B4G1646D-BHMA vs K4B4G1646E-BYMA Comparaison
Comparaison détaillée côte à côte de K4B4G1646D-BHMA par Samsung Electronics et K4B4G1646E-BYMA par Samsung Electronics. Comparez les spécifications clés, les paramètres électriques, le conditionnement, le statut de cycle de vie, les prix et la disponibilité pour déterminer le meilleur composant pour vos exigences de conception.
Comparaison des spécifications
| Paramètre | K4B4G1646D-BHMA | K4B4G1646E-BYMA |
|---|---|---|
| Marque | Samsung Electronics | Samsung Electronics |
| Catégorie | Memory ICs | Memory ICs |
| Statut du cycle de vie | Actif | Actif |
| Statut du stock | In Stock | In Stock |
| Prix unitaire (USD) | $2,90 | $14,32 |
| Type de mémoire | DDR3L SDRAM | DDR3L SDRAM |
| Density | 4 Gb | 4 Gb |
| Organisation de la mémoire | 256M x 16 | 256M x 16 |
| Débit de données | 1866 Mbps | 1866 Mbps/pin |
| Tension d'alimentation | 1.35 V (1.283 V to 1.45 V) | 1.35 V (1.28 V to 1.575 V) |
| Boîtier | 96-ball FBGA | FBGA-96 |
| Température de fonctionnement | -40°C to +95°C (TC) | 0°C to +95°C |
| Latence CAS | 13 (at 1866 Mbps) | [DATA_NEEDED: CAS Latency] |
| Burst Length | 8 and 4 | [DATA_NEEDED: Burst Length] |
| Number of Terminals | 96 | — |
| Lead-Free | Yes | — |
| Sans halogène | Yes | — |
| RoHS Compliant | Yes | — |
| Die Version | D-die | — |
| Refresh Mode | Auto and Self Refresh | — |
| Clock Frequency | — | 933 MHz |
| Operating Current | — | 14 mA |
| Standby Current | — | 2 mA, 3 mA |
| Type de montage | — | Surface Mount |
| RoHS | — | Compliant |
| Nombre de broches | — | 96 |