K4B4G1646D-BHMA vs K4B4G1646E-BYMA Comparação
Comparação detalhada lado a lado de K4B4G1646D-BHMA por Samsung Electronics e K4B4G1646E-BYMA por Samsung Electronics. Compare especificações principais, parâmetros elétricos, encapsulamento, status do ciclo de vida, preços e disponibilidade para determinar o melhor componente para os requisitos do seu projeto.
Comparação de especificações
| Parâmetro | K4B4G1646D-BHMA | K4B4G1646E-BYMA |
|---|---|---|
| Marca | Samsung Electronics | Samsung Electronics |
| Categoria | Memory ICs | Memory ICs |
| Status do ciclo de vida | Ativo | Ativo |
| Status do estoque | In Stock | In Stock |
| Preço unitário (USD) | $2,90 | $14,32 |
| Tipo de memória | DDR3L SDRAM | DDR3L SDRAM |
| Density | 4 Gb | 4 Gb |
| Organização da memória | 256M x 16 | 256M x 16 |
| Taxa de dados | 1866 Mbps | 1866 Mbps/pin |
| Tensão de alimentação | 1.35 V (1.283 V to 1.45 V) | 1.35 V (1.28 V to 1.575 V) |
| Encapsulamento | 96-ball FBGA | FBGA-96 |
| Temperatura de operação | -40°C to +95°C (TC) | 0°C to +95°C |
| Latência CAS | 13 (at 1866 Mbps) | [DATA_NEEDED: CAS Latency] |
| Burst Length | 8 and 4 | [DATA_NEEDED: Burst Length] |
| Number of Terminals | 96 | — |
| Lead-Free | Yes | — |
| Livre de halogênio | Yes | — |
| RoHS Compliant | Yes | — |
| Die Version | D-die | — |
| Refresh Mode | Auto and Self Refresh | — |
| Clock Frequency | — | 933 MHz |
| Operating Current | — | 14 mA |
| Standby Current | — | 2 mA, 3 mA |
| Tipo de montagem | — | Surface Mount |
| RoHS | — | Compliant |
| Número de pinos | — | 96 |