K4B4G1646D-BYH9 vs K4B4G1646E-BYK000 Vergleich
Detaillierter Direktvergleich von K4B4G1646D-BYH9 von Samsung Electronics und K4B4G1646E-BYK000 von Samsung Electronics. Vergleichen Sie die wichtigsten Spezifikationen, elektrischen Parameter, Gehäuse, Lebenszyklusstatus, Preise und Verfügbarkeit, um das beste Bauteil für Ihre Designanforderungen zu ermitteln.
Samsung Electronics
K4B4G1646D-BYH9 - 4Gb DDR3L SDRAM 256Mx16 1333Mbps | Samsung
K4B4G1646D-BYH9 ✓ Aktiv
Spezifikationsvergleich
| Parameter | K4B4G1646D-BYH9 | K4B4G1646E-BYK000 |
|---|---|---|
| Marke | Samsung Electronics | Samsung Electronics |
| Kategorie | Memory ICs | Memory ICs |
| Lebenszyklusstatus | Aktiv | Aktiv |
| Lagerstatus | In Stock | In Stock |
| Stückpreis (USD) | $2,30 | $0,56 |
| Density | 4 Gb | — |
| Speicherorganisation | 256M x 16 | 256M x 16 |
| Datenrate | 1333 Mbps | — |
| Versorgungsspannung | 1.35 V | — |
| Betriebstemperatur | 0 ~ 85 °C | [DATA_NEEDED: operating temperature range] |
| Gehäuse | 96FBGA | 96-FBGA (BYK) |
| Number of Banks | 8 | [DATA_NEEDED: bank count] |
| CAS-Latenz | Programmable | — |
| Write Latency | Programmable | — |
| On-Die Termination | Yes | — |
| Internal Calibration | Yes | — |
| Lead-Free | Yes | — |
| Halogenfrei | Yes | — |
| RoHS Compliant | Yes | — |
| Die Version | D-die | — |
| Speichertyp | — | DDR3L SDRAM |
| Speichergröße | — | 4 Gbit |
| Speed Grade | — | DDR3-1600 (1.25 ns clock cycle) |
| Clock Frequency | — | 800 MHz |
| CAS Latency (CL) | — | [DATA_NEEDED: CAS latency - 1.25 ns CL grade indicates CL11 but not explicitly stated in provided data] |
| Supply Voltage (VDD) | — | 1.35 V (DDR3L), 1.5 V compatible (DDR3) |
| Die Process | — | Samsung E-die |
| Montageart | — | Surface Mount |
| Schnittstelle | — | Parallel |
| Eigenschaften | — | Auto precharge, asynchronous reset, ZQ calibration, dynamic on-chip termination, data mask |
| RoHS-Status | — | [DATA_NEEDED: RoHS status] |
| Access Time | — | 1.25 ns |