K4B4G1646D-BYH9 vs K4B4G1646E-BYK000 Сравнение

Подробное сравнение бок о бок K4B4G1646D-BYH9 от Samsung Electronics и K4B4G1646E-BYK000 от Samsung Electronics. Сравните ключевые характеристики, электрические параметры, упаковку, статус жизненного цикла, цены и наличие, чтобы выбрать лучший компонент для ваших требований.

Samsung Electronics
K4B4G1646D-BYH9 K4B4G1646D-BYH9 - 4Gb DDR3L SDRAM 256Mx16 1333Mbps | Samsung

K4B4G1646D-BYH9 - 4Gb DDR3L SDRAM 256Mx16 1333Mbps | Samsung

K4B4G1646D-BYH9 ✓ Активен
Samsung Electronics
K4B4G1646E-BYK000 K4B4G1646E-BYK000 - 4Gb DDR3L SDRAM 256Mx16 | Samsung

K4B4G1646E-BYK000 - 4Gb DDR3L SDRAM 256Mx16 | Samsung

K4B4G1646E-BYK000 ✓ Активен

Сравнение характеристик

Параметр K4B4G1646D-BYH9 K4B4G1646E-BYK000
Бренд Samsung Electronics Samsung Electronics
Категория Memory ICs Memory ICs
Статус жизненного цикла Активен Активен
Наличие In Stock In Stock
Цена за единицу (USD) $2,30 $0,56
Density 4 Gb —
Организация памяти 256M x 16 256M x 16
Скорость передачи данных 1333 Mbps —
Напряжение питания 1.35 V —
Рабочая температура 0 ~ 85 °C [DATA_NEEDED: operating temperature range]
Корпус 96FBGA 96-FBGA (BYK)
Number of Banks 8 [DATA_NEEDED: bank count]
Задержка CAS Programmable —
Write Latency Programmable —
On-Die Termination Yes —
Internal Calibration Yes —
Lead-Free Yes —
Без галогенов Yes —
RoHS Compliant Yes —
Die Version D-die —
Тип памяти — DDR3L SDRAM
Размер памяти — 4 Gbit
Speed Grade — DDR3-1600 (1.25 ns clock cycle)
Clock Frequency — 800 MHz
CAS Latency (CL) — [DATA_NEEDED: CAS latency - 1.25 ns CL grade indicates CL11 but not explicitly stated in provided data]
Supply Voltage (VDD) — 1.35 V (DDR3L), 1.5 V compatible (DDR3)
Die Process — Samsung E-die
Тип монтажа — Surface Mount
Интерфейс — Parallel
Особенности — Auto precharge, asynchronous reset, ZQ calibration, dynamic on-chip termination, data mask
Статус RoHS — [DATA_NEEDED: RoHS status]
Access Time — 1.25 ns

Даташиты & ресурсы

Все товары Создать BOM Запросить цену