K4B4G1646D-BYH9 vs K4B4G1646E-BYK000 Comparaison

Comparaison détaillée côte à côte de K4B4G1646D-BYH9 par Samsung Electronics et K4B4G1646E-BYK000 par Samsung Electronics. Comparez les spécifications clés, les paramètres électriques, le conditionnement, le statut de cycle de vie, les prix et la disponibilité pour déterminer le meilleur composant pour vos exigences de conception.

Samsung Electronics
K4B4G1646D-BYH9 K4B4G1646D-BYH9 - 4Gb DDR3L SDRAM 256Mx16 1333Mbps | Samsung

K4B4G1646D-BYH9 - 4Gb DDR3L SDRAM 256Mx16 1333Mbps | Samsung

K4B4G1646D-BYH9 ✓ Actif
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K4B4G1646E-BYK000 K4B4G1646E-BYK000 - 4Gb DDR3L SDRAM 256Mx16 | Samsung

K4B4G1646E-BYK000 - 4Gb DDR3L SDRAM 256Mx16 | Samsung

K4B4G1646E-BYK000 ✓ Actif

Comparaison des spécifications

Paramètre K4B4G1646D-BYH9 K4B4G1646E-BYK000
Marque Samsung Electronics Samsung Electronics
Catégorie Memory ICs Memory ICs
Statut du cycle de vie Actif Actif
Statut du stock In Stock In Stock
Prix unitaire (USD) $2,30 $0,56
Density 4 Gb —
Organisation de la mémoire 256M x 16 256M x 16
Débit de données 1333 Mbps —
Tension d'alimentation 1.35 V —
Température de fonctionnement 0 ~ 85 °C [DATA_NEEDED: operating temperature range]
Boîtier 96FBGA 96-FBGA (BYK)
Number of Banks 8 [DATA_NEEDED: bank count]
Latence CAS Programmable —
Write Latency Programmable —
On-Die Termination Yes —
Internal Calibration Yes —
Lead-Free Yes —
Sans halogène Yes —
RoHS Compliant Yes —
Die Version D-die —
Type de mémoire — DDR3L SDRAM
Taille de mémoire — 4 Gbit
Speed Grade — DDR3-1600 (1.25 ns clock cycle)
Clock Frequency — 800 MHz
CAS Latency (CL) — [DATA_NEEDED: CAS latency - 1.25 ns CL grade indicates CL11 but not explicitly stated in provided data]
Supply Voltage (VDD) — 1.35 V (DDR3L), 1.5 V compatible (DDR3)
Die Process — Samsung E-die
Type de montage — Surface Mount
Interface — Parallel
Caractéristiques — Auto precharge, asynchronous reset, ZQ calibration, dynamic on-chip termination, data mask
Statut RoHS — [DATA_NEEDED: RoHS status]
Access Time — 1.25 ns

Fiches techniques et ressources

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