K4B4G1646D-BYK0 vs MT41K256M16HA-125 Vergleich
Detaillierter Direktvergleich von K4B4G1646D-BYK0 von Samsung Electronics und MT41K256M16HA-125 von Micron Technology. Vergleichen Sie die wichtigsten Spezifikationen, elektrischen Parameter, Gehäuse, Lebenszyklusstatus, Preise und Verfügbarkeit, um das beste Bauteil für Ihre Designanforderungen zu ermitteln.
Spezifikationsvergleich
| Parameter | K4B4G1646D-BYK0 | MT41K256M16HA-125 |
|---|---|---|
| Marke | Samsung Electronics | Micron Technology |
| Kategorie | Memory ICs | Memory ICs |
| Lebenszyklusstatus | Aktiv | Aktiv |
| Lagerstatus | In Stock | In Stock |
| Stückpreis (USD) | $2,90 | $6,36 |
| Speichertyp | DDR3L SDRAM | SDRAM - DDR3L |
| Density | 4 Gbit | — |
| Speicherorganisation | 256M x 16 | — |
| Versorgungsspannung | 1.35 V (1.5 V compatible) | 1.35 V |
| Datenrate | 1600 Mbps (PC3-12800) | — |
| Gehäuse | 96-ball FBGA | 96-FBGA (9x14 mm) |
| Betriebstemperatur | 0°C to 85°C | [DATA_NEEDED: operating temperature range] |
| CAS-Latenz | Programmable (e.g., 11, 10, 9) | 11 |
| Burst Length | 8 (with burst chop 4) | — |
| On-Die Termination | Yes | — |
| Lead-Free | Yes | Yes |
| Halogenfrei | Yes | — |
| RoHS Compliant | Yes | — |
| Anzahl der Pins | 96 | 96 |
| Die Revision | D-die | — |
| Speichergröße | — | 4Gbit (256M x 16) |
| Datenbusbreite | — | 16 bit |
| Clock Frequency | — | 800 MHz |
| Access Time | — | 13.75 ns |
| Montageart | — | Surface Mount |
| RoHS-Status | — | Compliant |
| Logic Family | — | CMOS |
| Refresh Interval | — | 7.8 us at 85C |