K4B4G1646D-BYK0 vs MT41K256M16HA-125 比較
詳細な並列比較: K4B4G1646D-BYK0 メーカー: Samsung Electronics および MT41K256M16HA-125 メーカー: Micron Technology。主要仕様、電気的特性、パッケージ、ライフサイクルステータス、価格、在庫状況を比較して、設計要件に最適な部品を判断してください。
仕様比較
| パラメータ | K4B4G1646D-BYK0 | MT41K256M16HA-125 |
|---|---|---|
| ブランド | Samsung Electronics | Micron Technology |
| カテゴリ | Memory ICs | Memory ICs |
| ライフサイクル状態 | 有効 | 有効 |
| 在庫状況 | In Stock | In Stock |
| 単価（USD） | $2.90 | $6.36 |
| メモリタイプ | DDR3L SDRAM | SDRAM - DDR3L |
| Density | 4 Gbit | — |
| メモリ構成 | 256M x 16 | — |
| 電源電圧 | 1.35 V (1.5 V compatible) | 1.35 V |
| データレート | 1600 Mbps (PC3-12800) | — |
| パッケージ | 96-ball FBGA | 96-FBGA (9x14 mm) |
| 動作温度 | 0°C to 85°C | [DATA_NEEDED: operating temperature range] |
| CASレイテンシ | Programmable (e.g., 11, 10, 9) | 11 |
| Burst Length | 8 (with burst chop 4) | — |
| On-Die Termination | Yes | — |
| Lead-Free | Yes | Yes |
| ハロゲンフリー | Yes | — |
| RoHS Compliant | Yes | — |
| ピン数 | 96 | 96 |
| Die Revision | D-die | — |
| メモリサイズ | — | 4Gbit (256M x 16) |
| データバス幅 | — | 16 bit |
| Clock Frequency | — | 800 MHz |
| Access Time | — | 13.75 ns |
| 実装タイプ | — | Surface Mount |
| RoHS ステータス | — | Compliant |
| Logic Family | — | CMOS |
| Refresh Interval | — | 7.8 us at 85C |