K4B4G1646E-BMK0 vs IS43TR16256AL-125KBL Vergleich
Detaillierter Direktvergleich von K4B4G1646E-BMK0 von Samsung Electronics und IS43TR16256AL-125KBL von ISSI, Integrated Silicon Solution Inc. Vergleichen Sie die wichtigsten Spezifikationen, elektrischen Parameter, Gehäuse, Lebenszyklusstatus, Preise und Verfügbarkeit, um das beste Bauteil für Ihre Designanforderungen zu ermitteln.
ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
IS43TR16256AL-125KBL - 4Gb DDR3L SDRAM 256Mx16 | ISSI
IS43TR16256AL-125KBL ✓ AktivSpezifikationsvergleich
| Parameter | K4B4G1646E-BMK0 | IS43TR16256AL-125KBL |
|---|---|---|
| Marke | Samsung Electronics | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc |
| Kategorie | Memory ICs | Memory ICs |
| Lebenszyklusstatus | Aktiv | Aktiv |
| Lagerstatus | In Stock | In Stock |
| Stückpreis (USD) | $6,50 | $5,60 |
| Density | 4 Gb | — |
| Speicherorganisation | 256M x 16 | — |
| Speed Grade | 1600 Mbps | — |
| Voltage | 1.35 V | — |
| Betriebstemperatur | -40°C to +95°C | 0°C ~ 95°C |
| Gehäuse | 96-FBGA | 96-TWBGA (9x13mm) |
| Schnittstelle | Parallel | Parallel |
| Clock Frequency | 800 MHz | 800 MHz |
| Datenrate | 1600 Mbps | 1600 Mbps |
| Speichertyp | DDR3L SDRAM | SDRAM - DDR3L |
| Montageart | Surface Mount | Surface Mount |
| Auto Precharge | Yes | — |
| Asynchronous Reset | Yes | — |
| ZQ Calibration | Yes | — |
| Dynamic ODT | Yes | — |
| Data Mask | Yes | — |
| Speichergröße | — | 4Gbit (256M x 16) |
| Access Time | — | 20 ns |
| Versorgungsspannung | — | 1.35V (backward compatible to 1.5V) |
| Memory Format | — | DRAM |
| Technology | — | SDRAM - DDR3L |
| RoHS-Status | — | Compliant |
| Lead-Free | — | Yes |
| Number of Terminals | — | 96 |