K4B4G1646E-BMK0 vs IS43TR16256AL-125KBL Comparaison
Comparaison détaillée côte à côte de K4B4G1646E-BMK0 par Samsung Electronics et IS43TR16256AL-125KBL par ISSI, Integrated Silicon Solution Inc. Comparez les spécifications clés, les paramètres électriques, le conditionnement, le statut de cycle de vie, les prix et la disponibilité pour déterminer le meilleur composant pour vos exigences de conception.
ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
IS43TR16256AL-125KBL - 4Gb DDR3L SDRAM 256Mx16 | ISSI
IS43TR16256AL-125KBL ✓ ActifComparaison des spécifications
| Paramètre | K4B4G1646E-BMK0 | IS43TR16256AL-125KBL |
|---|---|---|
| Marque | Samsung Electronics | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc |
| Catégorie | Memory ICs | Memory ICs |
| Statut du cycle de vie | Actif | Actif |
| Statut du stock | In Stock | In Stock |
| Prix unitaire (USD) | $6,50 | $5,60 |
| Density | 4 Gb | — |
| Organisation de la mémoire | 256M x 16 | — |
| Speed Grade | 1600 Mbps | — |
| Voltage | 1.35 V | — |
| Température de fonctionnement | -40°C to +95°C | 0°C ~ 95°C |
| Boîtier | 96-FBGA | 96-TWBGA (9x13mm) |
| Interface | Parallel | Parallel |
| Clock Frequency | 800 MHz | 800 MHz |
| Débit de données | 1600 Mbps | 1600 Mbps |
| Type de mémoire | DDR3L SDRAM | SDRAM - DDR3L |
| Type de montage | Surface Mount | Surface Mount |
| Auto Precharge | Yes | — |
| Asynchronous Reset | Yes | — |
| ZQ Calibration | Yes | — |
| Dynamic ODT | Yes | — |
| Data Mask | Yes | — |
| Taille de mémoire | — | 4Gbit (256M x 16) |
| Access Time | — | 20 ns |
| Tension d'alimentation | — | 1.35V (backward compatible to 1.5V) |
| Memory Format | — | DRAM |
| Technology | — | SDRAM - DDR3L |
| Statut RoHS | — | Compliant |
| Lead-Free | — | Yes |
| Number of Terminals | — | 96 |