K4B4G1646E-BMK0 vs IS43TR16256AL-125KBL Сравнение
Подробное сравнение бок о бок K4B4G1646E-BMK0 от Samsung Electronics и IS43TR16256AL-125KBL от ISSI, Integrated Silicon Solution Inc. Сравните ключевые характеристики, электрические параметры, упаковку, статус жизненного цикла, цены и наличие, чтобы выбрать лучший компонент для ваших требований.
ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
IS43TR16256AL-125KBL - 4Gb DDR3L SDRAM 256Mx16 | ISSI
IS43TR16256AL-125KBL ✓ АктивенСравнение характеристик
| Параметр | K4B4G1646E-BMK0 | IS43TR16256AL-125KBL |
|---|---|---|
| Бренд | Samsung Electronics | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc |
| Категория | Memory ICs | Memory ICs |
| Статус жизненного цикла | Активен | Активен |
| Наличие | In Stock | In Stock |
| Цена за единицу (USD) | $6,50 | $5,60 |
| Density | 4 Gb | — |
| Организация памяти | 256M x 16 | — |
| Speed Grade | 1600 Mbps | — |
| Voltage | 1.35 V | — |
| Рабочая температура | -40°C to +95°C | 0°C ~ 95°C |
| Корпус | 96-FBGA | 96-TWBGA (9x13mm) |
| Интерфейс | Parallel | Parallel |
| Clock Frequency | 800 MHz | 800 MHz |
| Скорость передачи данных | 1600 Mbps | 1600 Mbps |
| Тип памяти | DDR3L SDRAM | SDRAM - DDR3L |
| Тип монтажа | Surface Mount | Surface Mount |
| Auto Precharge | Yes | — |
| Asynchronous Reset | Yes | — |
| ZQ Calibration | Yes | — |
| Dynamic ODT | Yes | — |
| Data Mask | Yes | — |
| Размер памяти | — | 4Gbit (256M x 16) |
| Access Time | — | 20 ns |
| Напряжение питания | — | 1.35V (backward compatible to 1.5V) |
| Memory Format | — | DRAM |
| Technology | — | SDRAM - DDR3L |
| Статус RoHS | — | Compliant |
| Lead-Free | — | Yes |
| Number of Terminals | — | 96 |