K4B4G1646E-BYK0 vs K4B4G1646E-BCNB Vergleich
Detaillierter Direktvergleich von K4B4G1646E-BYK0 von Samsung Electronics und K4B4G1646E-BCNB von Samsung Electronics. Vergleichen Sie die wichtigsten Spezifikationen, elektrischen Parameter, Gehäuse, Lebenszyklusstatus, Preise und Verfügbarkeit, um das beste Bauteil für Ihre Designanforderungen zu ermitteln.
Samsung Electronics
K4B4G1646E-BCNB - 4Gb DDR3 SDRAM, 256Mx16, 1.35V | Samsung
K4B4G1646E-BCNB ✓ AktivSpezifikationsvergleich
| Parameter | K4B4G1646E-BYK0 | K4B4G1646E-BCNB |
|---|---|---|
| Marke | Samsung Electronics | Samsung Electronics |
| Kategorie | Memory ICs | Memory ICs |
| Lebenszyklusstatus | Aktiv | Aktiv |
| Lagerstatus | In Stock | In Stock |
| Stückpreis (USD) | $1,80 | $13,52 |
| Speichertyp | DDR3L SDRAM | DDR3 SDRAM |
| Density | 4 Gb | — |
| Speicherorganisation | 256M x 16 | 256M x 16 |
| Versorgungsspannung | 1.35 V (1.283 V to 1.45 V) | 1.35 V (1.283 V to 1.45 V) |
| Datenrate | DDR3-1600 (800 MHz) | 1866 Mbps |
| Gehäuse | 96-ball FBGA (13 x 9 mm, 0.8 mm pitch) | 96-ball FBGA |
| Betriebstemperatur | 0°C to +95°C (TC) | 0C to +95C |
| CAS-Latenz | 11 (CL-tRCD-tRP) | [DATA_NEEDED: CAS Latency] |
| Burst Length | 8 (fixed), 4 (burst chop) | 8, 4 (fixed) |
| On-Die Termination | Yes (dynamic ODT) | — |
| ZQ Calibration | Yes | — |
| Auto Precharge | Yes | — |
| Self-Refresh | Yes | — |
| Asynchronous Reset | Yes | — |
| Data Mask | Yes | — |
| RoHS | Compliant | — |
| Speichergröße | — | 4 Gb |
| Montageart | — | Surface Mount |
| RoHS-Status | — | Compliant |
| Anzahl der Pins | — | 96 |
| Schnittstellentyp | — | Parallel |
| Refresh | — | 8K / 64 ms |
| Write Recovery Time | — | [DATA_NEEDED: tWR] |
| Row Cycle Time | — | [DATA_NEEDED: tRC] |
| Row Address Strobe to Column Address Strobe Delay | — | [DATA_NEEDED: tRCD] |
| Row Precharge Time | — | [DATA_NEEDED: tRP] |
| Active to Precharge Time | — | [DATA_NEEDED: tRAS] |