K4B4G1646E-BYK0 vs K4B4G1646E-BCNB 比較
詳細な並列比較: K4B4G1646E-BYK0 メーカー: Samsung Electronics および K4B4G1646E-BCNB メーカー: Samsung Electronics。主要仕様、電気的特性、パッケージ、ライフサイクルステータス、価格、在庫状況を比較して、設計要件に最適な部品を判断してください。
Samsung Electronics
K4B4G1646E-BCNB - 4Gb DDR3 SDRAM, 256Mx16, 1.35V | Samsung
K4B4G1646E-BCNB ✓ 生産中仕様比較
| パラメータ | K4B4G1646E-BYK0 | K4B4G1646E-BCNB |
|---|---|---|
| ブランド | Samsung Electronics | Samsung Electronics |
| カテゴリ | Memory ICs | Memory ICs |
| ライフサイクル状態 | 有効 | 有効 |
| 在庫状況 | In Stock | In Stock |
| 単価（USD） | $1.80 | $13.52 |
| メモリタイプ | DDR3L SDRAM | DDR3 SDRAM |
| Density | 4 Gb | — |
| メモリ構成 | 256M x 16 | 256M x 16 |
| 電源電圧 | 1.35 V (1.283 V to 1.45 V) | 1.35 V (1.283 V to 1.45 V) |
| データレート | DDR3-1600 (800 MHz) | 1866 Mbps |
| パッケージ | 96-ball FBGA (13 x 9 mm, 0.8 mm pitch) | 96-ball FBGA |
| 動作温度 | 0°C to +95°C (TC) | 0C to +95C |
| CASレイテンシ | 11 (CL-tRCD-tRP) | [DATA_NEEDED: CAS Latency] |
| Burst Length | 8 (fixed), 4 (burst chop) | 8, 4 (fixed) |
| On-Die Termination | Yes (dynamic ODT) | — |
| ZQ Calibration | Yes | — |
| Auto Precharge | Yes | — |
| Self-Refresh | Yes | — |
| Asynchronous Reset | Yes | — |
| Data Mask | Yes | — |
| RoHS | Compliant | — |
| メモリサイズ | — | 4 Gb |
| 実装タイプ | — | Surface Mount |
| RoHS ステータス | — | Compliant |
| ピン数 | — | 96 |
| インターフェースタイプ | — | Parallel |
| Refresh | — | 8K / 64 ms |
| Write Recovery Time | — | [DATA_NEEDED: tWR] |
| Row Cycle Time | — | [DATA_NEEDED: tRC] |
| Row Address Strobe to Column Address Strobe Delay | — | [DATA_NEEDED: tRCD] |
| Row Precharge Time | — | [DATA_NEEDED: tRP] |
| Active to Precharge Time | — | [DATA_NEEDED: tRAS] |