K4B4G1646E-BYK0 vs K4B4G1646E-BCNB Comparaison
Comparaison détaillée côte à côte de K4B4G1646E-BYK0 par Samsung Electronics et K4B4G1646E-BCNB par Samsung Electronics. Comparez les spécifications clés, les paramètres électriques, le conditionnement, le statut de cycle de vie, les prix et la disponibilité pour déterminer le meilleur composant pour vos exigences de conception.
Samsung Electronics
K4B4G1646E-BCNB - 4Gb DDR3 SDRAM, 256Mx16, 1.35V | Samsung
K4B4G1646E-BCNB ✓ ActifComparaison des spécifications
| Paramètre | K4B4G1646E-BYK0 | K4B4G1646E-BCNB |
|---|---|---|
| Marque | Samsung Electronics | Samsung Electronics |
| Catégorie | Memory ICs | Memory ICs |
| Statut du cycle de vie | Actif | Actif |
| Statut du stock | In Stock | In Stock |
| Prix unitaire (USD) | $1,80 | $13,52 |
| Type de mémoire | DDR3L SDRAM | DDR3 SDRAM |
| Density | 4 Gb | — |
| Organisation de la mémoire | 256M x 16 | 256M x 16 |
| Tension d'alimentation | 1.35 V (1.283 V to 1.45 V) | 1.35 V (1.283 V to 1.45 V) |
| Débit de données | DDR3-1600 (800 MHz) | 1866 Mbps |
| Boîtier | 96-ball FBGA (13 x 9 mm, 0.8 mm pitch) | 96-ball FBGA |
| Température de fonctionnement | 0°C to +95°C (TC) | 0C to +95C |
| Latence CAS | 11 (CL-tRCD-tRP) | [DATA_NEEDED: CAS Latency] |
| Burst Length | 8 (fixed), 4 (burst chop) | 8, 4 (fixed) |
| On-Die Termination | Yes (dynamic ODT) | — |
| ZQ Calibration | Yes | — |
| Auto Precharge | Yes | — |
| Self-Refresh | Yes | — |
| Asynchronous Reset | Yes | — |
| Data Mask | Yes | — |
| RoHS | Compliant | — |
| Taille de mémoire | — | 4 Gb |
| Type de montage | — | Surface Mount |
| Statut RoHS | — | Compliant |
| Nombre de broches | — | 96 |
| Type d'interface | — | Parallel |
| Refresh | — | 8K / 64 ms |
| Write Recovery Time | — | [DATA_NEEDED: tWR] |
| Row Cycle Time | — | [DATA_NEEDED: tRC] |
| Row Address Strobe to Column Address Strobe Delay | — | [DATA_NEEDED: tRCD] |
| Row Precharge Time | — | [DATA_NEEDED: tRP] |
| Active to Precharge Time | — | [DATA_NEEDED: tRAS] |